1、由于GaN半導(dǎo)體材料具有寬帶隙(3.4eV),熔點(diǎn)高,熱導(dǎo)率高,電子遷移率高(3×107cm·s-1)等特點(diǎn),所以它是制造光電探測(cè)器和紫、藍(lán)發(fā)光二極管、激光器等光電器件的理想材料。自從GaN基場(chǎng)效應(yīng)器件問(wèn)世及應(yīng)用以來(lái),其高溫特性受到人們的關(guān)注和研究。本論文在前人的研究成果之上,進(jìn)行了一些更加深入的研究,本文主要對(duì)Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)合金序列進(jìn)行了由室溫至500℃范圍內(nèi)的高溫測(cè)量特性和高溫存儲(chǔ)

2、特性的考察,得出實(shí)驗(yàn)數(shù)值和分析結(jié)果,同時(shí)在此基礎(chǔ)上研究了歐姆接觸在高達(dá)500℃的工作特性。 本文首先課題背景進(jìn)行了介紹,然后在接下來(lái)一章介紹歐姆接觸的基本概念以及歐姆測(cè)量方法:TLM作圖法,接著對(duì)于系統(tǒng)搭建進(jìn)行了詳細(xì)的敘述,其中包括了硬件設(shè)施的搭建和控制硬件的計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng),然后通過(guò)對(duì)于制作完成的實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行測(cè)試分析,獲得了相關(guān)條件下歐姆接觸率的數(shù)值,緊接著對(duì)于結(jié)果進(jìn)行了深入的研究。 通過(guò)分析得出： 1.Ti/A

3、k/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四層復(fù)合金屬層與n-GaN的歐姆接觸的研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)環(huán)境溫度低于300℃時(shí),存儲(chǔ)時(shí)間0～24小時(shí),其接觸電阻率基本不變,表現(xiàn)出良好的溫度可靠性；但是在300℃、500℃下各24小時(shí)高溫存儲(chǔ)后,其歐姆接觸發(fā)生了較為明顯的退化,且不可恢復(fù)。 2.對(duì)于高溫工作條件下,接觸電阻率均隨測(cè)量溫度的增加而增大,且增加趨勢(shì)與摻雜濃度有密切關(guān)系。摻雜濃度越高,接觸電阻率隨測(cè)量溫度的升高而增加的