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![A-F氧傳感器用Ti-,3-O-,5-薄膜新材料的制備科學和性能研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/16/b57bc0e2-a0ff-4b5c-984d-21e423b157e1/b57bc0e2-a0ff-4b5c-984d-21e423b157e11.gif)
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文檔簡介
1、該文將對薄膜型A/F(空燃比)氧傳感器用新材料-Ti<,3>O<,5>的性能進行研究.采用溶膠-凝膠法在Al<,2>O<,3>基片上制備薄膜:以鈦酸四丁酯為原料,無水乙醇為溶劑,添加適量的其它物質以獲得穩(wěn)定的溶膠,然后通過提拉法在Al<,2>O<,3>基片上制備TiO<,2>薄膜.論文對從TiO<,2>薄膜制備Ti<,3>O<,5>薄膜的條件進行了詳細的研究.為了提高薄膜的性能,對薄膜進行了一些摻雜.結果發(fā)現(xiàn),Ce離子的摻入可以提高Ti
2、<,3>O<,5>薄膜的氧敏感性,響應速度和重復性,而且薄膜在空氣中的穩(wěn)定性也有一定提高(可以在700℃空氣氣氛中穩(wěn)定存在).但是薄膜對氣氛的活化溫度仍然比較高,約550℃.對采用Pt在摻Ce的Ti<,3>O<,5>薄膜表面的修飾的研究結果表明,表面修飾后薄膜的活化溫度降低到了350℃.在溫度高于400℃時,Pt-Ce-Ti<,3>O<,5>薄膜具有良好的靈敏度、響應度和重復性.在400-700℃的溫度范圍內,薄膜的電阻隨氣氛變化的范圍
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