1、一維納米材料(納米管、線、棒等)是構(gòu)筑納米器件的基本單元，在光信息儲(chǔ)存、電子傳感、發(fā)光顯示及單電子傳輸?shù)确矫婢哂袧撛趹?yīng)用前景。制備方法很多，通過(guò)這些方法，人們制備了大量的一維納米材料，但主要是單一結(jié)構(gòu)的納米線、納米管，復(fù)合結(jié)構(gòu)的一維納米材料很少涉及。 實(shí)際上，復(fù)合納米材料，尤其是金屬氧化物的復(fù)合納米材料長(zhǎng)期以來(lái)一直是材料研究的熱點(diǎn)領(lǐng)域。由于納米材料的復(fù)合形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)，因而在光學(xué)、光催化、傳感等方面表現(xiàn)出新奇的性能。氧化錫、氧化鋅

2、、氧化鈦都是無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料中極有價(jià)值、應(yīng)用廣泛的材料。它們的復(fù)合納米結(jié)構(gòu)在光催化、環(huán)保、氣敏檢測(cè)、光電轉(zhuǎn)換、鋰離子電極材料等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價(jià)值。但是，以前對(duì)它們復(fù)合材料的研究主要集中在復(fù)合納米顆粒(零維)和復(fù)合納米薄膜(二維)的研究方面，在復(fù)合納米管、納米線(一維)的制備和研究方面，由于缺乏合適的制備方法而進(jìn)展緩慢。 多孔陽(yáng)極氧化鋁(AAO)模板法是制備大面積的一維納米線結(jié)構(gòu)陣列的一種廉價(jià)且很有效方法。制備的納米線形貌均一、

3、便于器件化和陣列化。AAO模板法通常與其他方法相結(jié)合使用，其中電泳沉積與AAO模板法相結(jié)合的方法是一種新興且有效的方法。它利用外電場(chǎng)的作用使得帶有確定電荷的膠體顆粒發(fā)生定向移動(dòng)，最后緊密地聚集在AAO模板的微孔中，形成高填充率的納米線陣列。根據(jù)電泳沉積的原理，AAO模板法與電泳沉積法相結(jié)合的方法亦應(yīng)該可用于制備復(fù)合結(jié)構(gòu)的納米線陣列。 本論文的主要工作包含以下三個(gè)方面： 1．AAO模板的制備及表征采用兩步氧化法，分別以硫酸

4、、草酸、磷酸為電解液制備了不同孔徑的有序多孔陽(yáng)極氧化鋁模板，并用SEM和AFM對(duì)樣品進(jìn)行表征。總結(jié)了兩步氧化法制備AAO模板的最佳條件。 2．SnO<,2>、ZnO單一納米線陣列的制備及表征采用AAO模板與電泳沉積法相結(jié)合，成功地制備了SnO<,2>、ZnO納米線微陣列，并用XRD、TEM、SEM、EDAX對(duì)樣品進(jìn)行表征。此項(xiàng)工作證明了電泳沉積法與AAO模板法相結(jié)合制備金屬氧化物納米線的可行性，并構(gòu)筑了電泳沉積法的基本裝置，探索

5、了實(shí)驗(yàn)的基本條件，為進(jìn)一步電泳沉積金屬氧化物的復(fù)合納米線創(chuàng)造了條件。最后對(duì)SnO<,2>、ZnO納米線的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。 3．復(fù)合納米線陣列的制備及表征創(chuàng)造性地采用電泳沉積法、多孔陽(yáng)極氧化鋁模板相結(jié)合的方法，成功制備了TiO<,2>/ZnO的復(fù)合納米線陣列，并用XRD、TEM、SEM、EDAX對(duì)樣品進(jìn)行了詳細(xì)表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，該方法是制備金屬氧化物復(fù)合納米線的切實(shí)可行的方法。論文對(duì)電泳沉積與陽(yáng)極氧化鋁模板法相結(jié)合的方法制備復(fù)