![](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/17/98eac5cc-53d3-403f-a932-3205ffcf4812/98eac5cc-53d3-403f-a932-3205ffcf4812pic.jpg)
![輻射對(duì)半導(dǎo)體磁敏器件性能影響的研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/17/98eac5cc-53d3-403f-a932-3205ffcf4812/98eac5cc-53d3-403f-a932-3205ffcf48121.gif)
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、用低劑量率γ射線(由<'60>Co和<'137>Cs放射源提供)和β射線(由<'90>Sr-<'90>Y放射源提供)對(duì)三種工作狀態(tài)下的InSb、GaAs、Si、Ge等半導(dǎo)體磁敏器件進(jìn)行非永久輻照,系統(tǒng)研究了射線輻照對(duì)器件各電磁參數(shù)的影響。根據(jù)各種核素的半衰期和實(shí)際劑量率,實(shí)驗(yàn)中以輻照時(shí)間表示輻照劑量。結(jié)果表明,不論器件處于哪種狀態(tài),丫和p射線輻照都會(huì)引起所考察電磁參數(shù)發(fā)生變化,這些變化不因輻照停止而消失,反映了常溫退火過(guò)程對(duì)輻射損傷的不
2、可恢復(fù)性。在無(wú)源、無(wú)外磁場(chǎng)作用時(shí),由于多種因素,使輻照所引起的電磁參數(shù)變化與射線種類、粒子能量、輻照時(shí)間的關(guān)系并不明確。恒流激勵(lì)、無(wú)外磁場(chǎng)作用時(shí),三種射線輻照均導(dǎo)致各器件輸入端電阻隨輻照時(shí)間正比增加,由于沒(méi)有直接觀察到因電離效應(yīng)所引起的載流子濃度的急劇變化(對(duì)應(yīng)著輸入端電阻的迅速下降和上升),因此原因應(yīng)歸結(jié)于射線粒子的位移效應(yīng)所引起的輻射缺陷,通過(guò)對(duì)比相同射線、相同時(shí)間輻照所引起的輸入端電阻變化量,不僅可以確定輸入端電阻變化量與半導(dǎo)體構(gòu)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 空間輻射環(huán)境對(duì)半導(dǎo)體激光器性能影響的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 輻射對(duì)半導(dǎo)體激光器性能及1-f噪聲影響研究.pdf
- 散熱強(qiáng)度對(duì)半導(dǎo)體制冷性能影響的分析研究.pdf
- 高功率超寬帶微波脈沖對(duì)半導(dǎo)體器件損傷的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能研究.pdf
- (施敏)半導(dǎo)體器件物理(詳盡版)ppt
- 一維半導(dǎo)體納米材料制備、性能及輻射探測(cè)器件研究.pdf
- 低溫?zé)Y(jié)型銀漿料對(duì)半導(dǎo)體芯片貼裝性能的影響
- 用于輻射探測(cè)的新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)仿真研究.pdf
- ZnO稀磁半導(dǎo)體的制備和磁、光性能研究.pdf
- γ-輻照對(duì)半導(dǎo)體納米材料的改性研究.pdf
- 半導(dǎo)體分立器件
- 半導(dǎo)體器件綜述
- 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
- 半導(dǎo)體發(fā)光器件
- 半導(dǎo)體器件4
- 溫度梯度和材料組分對(duì)半導(dǎo)體材料熱電轉(zhuǎn)換性能影響機(jī)理的研究.pdf
- ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備與性能研究.pdf
- ZnO基納米稀磁半導(dǎo)體及CdS納米半導(dǎo)體的制備與性能研究.pdf
- 半導(dǎo)體金屬氧化物的氣敏性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論