1、隨著紫外探測技術(shù)優(yōu)越性的凸顯，人們對紫外探測器的研究越來越關(guān)注。新型紫外探測器要求器件具有“日盲”特性，以消除紅外—可見光帶來的背景噪聲、提高準(zhǔn)確探測率。傳統(tǒng)的紫外探測器如Si探測器已不能滿足此要求，寬禁帶半導(dǎo)體由于其大的禁帶寬度可以制備成“太陽盲”探測器，因而引起了人們的關(guān)注。ZnO是一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有光電導(dǎo)響應(yīng)度高、外延生長溫度低、成本低、材料無毒、易刻蝕等優(yōu)點，因而ZnO紫外光電探測器前景非常廣闊。由于ZnO材料尚

2、處于研究的初始階段，其p型摻雜材料難以獲得，本文僅對光電導(dǎo)型ZnO光電導(dǎo)探測器進行了研究。 本文根據(jù)理論和模擬結(jié)果，考慮到工藝條件的要求和限制，設(shè)計了叉指型ZnO探測器的器件結(jié)構(gòu)尺寸及抗反射膜厚度。ZnO探測器的制備采用lift-off工藝，Al/Au作歐姆接觸金屬。 在此基礎(chǔ)上本文研究了未合金Al/Au金屬與ZnO膜的歐姆接觸特性；對比研究了SiO2、Si3N4抗反射膜對ZnO探測器I-V特性、光電響應(yīng)特性的影響，同時

3、采用AES、XPS表面分析手段對測量結(jié)果進行了深入分析；對于器件在空氣中儲存對探測器的性能影響也進行了研究。 隨后測得了ZnO紫外光電導(dǎo)探測器的光—暗電流、光譜響應(yīng)曲線和光電響應(yīng)時間。結(jié)果表明ZnO紫外光電導(dǎo)探測器的在正向偏壓下暗電流與光電流隨外加偏壓線性增加；探測器的截止波長為368nm，在截至波長20nm范圍內(nèi)，響應(yīng)度下降了1/5；探測器在脈沖紫外光輻照下響應(yīng)時間達ms級。 根據(jù)ZnO紫外光電探測器的具體特性參數(shù)設(shè)計

4、了實用的紫外光電探測電路，探測器電路系統(tǒng)包括器件偏置模塊、探測信號放大模塊及信號顯示模塊。將制備的ZnO光電探測器應(yīng)用到紫外光電探測電路中，能有效對紫外輻照光進行探測，且電路顯示的信號電壓與外加紫外輻照量呈線性關(guān)系。 最后，對電鍍加厚半導(dǎo)體器件壓焊點處金屬層的工藝進行了初步的研究。電鍍金屬為金，電鍍液采用無氰硫酸鹽鍍金液。研究了電鍍層厚度與電鍍時間和陰極電流密度之間的關(guān)系，結(jié)果表明兩者均表現(xiàn)出線性關(guān)系，電鍍的較佳陰極電流密度為0