1、隨著無線通信、藍牙技術、雷達及空間技術的發(fā)展，對其射頻電路部分的技術指標要求和成本要求越來越苛刻，低噪聲放大器（LNA）是整個射頻電路部分不可或缺的，它的性能指標直接影響到整個電路、系統(tǒng)的性能指標。全球對新型異質結器件的不斷研究，它們異軍突起，不斷滿足市場要求，鍺硅異質結晶體管（SiGe HBT）就是其中之一。因為SiGe HBT器件電路在高頻性能方面的優(yōu)越表現，以及相對于GaAs器件的低成本，且能與CMOS技術集成在一起，所以對SiG

2、e HBT LNA的研究成為國內外的熱點課題之一。
　　論文中，首先通過理論分析，介紹了噪聲機理；并對常采用的噪聲測試方法作了介紹。在對器件的分析設計中，對國內外SiGe HBT的發(fā)展狀況作了簡單介紹，較為詳細地分析其基本原理，給出了SiGe HBT的優(yōu)化設計，主要包括：基區(qū)的材料選擇和設計；發(fā)射區(qū)結構的設計；集電區(qū)結構的設計。對器件的模型也進行了討論。
　　利用Gummel-Poon模型參數將其加入到ADS(Advance

3、d Design System)作為SiGe HBT的晶體管模型，采用詳細討論的負反饋電路技術，設計了級聯的超寬帶低噪聲放大器（UWB LNAs，Ultra-Wide-Band Low Noise Amplifiers）。文中通過比較其他 LNAs電路，在0.5-6GHz范圍內，此電路獲得了增益≥12dB，噪聲系數≤1.2dB，P-1dB=-25.4dBm，功耗≤50mW的穩(wěn)定寬帶低噪聲放大器。
　　最后，我們利用L-Edit進行