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![電沉積CoPt合金及低維TiO-,2-材料的結構轉變研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/17/0f9c313e-9ab7-42fb-bba0-a6587ffcaef5/0f9c313e-9ab7-42fb-bba0-a6587ffcaef51.gif)
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文檔簡介
1、納米結構材料有著廣闊的應用前景,同時,納米材料的結構轉變行為對材料的特性有著重要的影響,深刻理解并控制材料的結構轉變是納米材料實際應用中必須解決的關鍵問題。本文選擇在磁記錄材料領域具有潛在應用前景的CoPt合金薄膜和具有高效的光催化性能的TiO<,2>納米線和納米粉體為研究對象,采用X射線衍射、透射電子顯微鏡和磁性測量等技術,研究了它們的結構轉變。 利用電沉積及后續(xù)退火的方法制備了A1+L1<,0>CoPt膜,研究了CoPt膜在
2、退火條件下的微結構及磁性能的轉變。結果表明,在650℃退火2.5 h后,軟磁A1相含量為27%,軟磁相和永磁相L1<,0>相之間存在強的交換耦合作用,獲得了H<,c>=14.2 kOe的較大矯頑力和M<,r>/M<,s>=0.88的較高剩磁比。 采用多孔氧化鋁模板,結合化學法制備了直徑為20 nm的非晶TiO<,2>納米線。自由態(tài)非晶TiO<,2>納米線在600℃就發(fā)生晶型轉變,而模板束縛態(tài)下的TiO<,2>納米線在900℃才開
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