1、ZnO壓敏電阻是一種廣泛應(yīng)用于各種電路過(guò)電壓保護(hù)和浪涌吸收的電子元件。隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展，以ZnO為代表的低壓壓敏電阻器在計(jì)算機(jī)、通訊設(shè)備、鐵路信號(hào)、汽車(chē)行業(yè)、微型電機(jī)以及各種電子器件的低壓電路過(guò)流保護(hù)問(wèn)題已經(jīng)引起關(guān)注。對(duì)具有高非線性I－V特征、壓敏電壓低于5V的低電壓、小功率壓敏電阻器的需要正日益增長(zhǎng)。由于ZnO壓敏薄膜在降低元件的厚度方面比ZnO陶瓷具有較大的優(yōu)勢(shì)，因此ZnO薄膜在開(kāi)發(fā)小功率、低壓壓敏電阻器方面具

2、有極大的優(yōu)勢(shì)和潛力。
　　溶膠－凝膠法可以實(shí)現(xiàn)材料化學(xué)組成的精確可控，可以合成高均勻性多組分凝膠，且工藝過(guò)程簡(jiǎn)單不需要昂貴的設(shè)備等優(yōu)點(diǎn)，非常有利于ZnO壓敏薄膜的改性。
　　本文研究了在Si基片上，溶膠－凝膠法工藝條件對(duì)薄膜的結(jié)晶、取向狀況等的影響，并探討了溶膠－凝膠法制備ZnO薄膜的過(guò)程中，工藝條件對(duì)其電性能的影響，以此改善工藝條件，優(yōu)化薄膜的結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明：退火溫度對(duì)ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和壓敏性能影響最大，600℃為最佳退火

3、溫度。
　　本文通過(guò)改變Bi2O3、Co2O3和Cr2O3的摻雜濃度進(jìn)行優(yōu)化，研究發(fā)現(xiàn)：三種摻雜物的摻雜濃度均為0.5％時(shí)，獲得的ZnO壓敏薄膜電性能最佳，其非線性系數(shù)為12.63，壓敏電壓為3.13V，漏電流為25.34μA。
　　分別對(duì)以上三種摻雜物進(jìn)行研究，在摻雜適當(dāng)?shù)那闆r的下，Bi2O3在薄膜退火過(guò)程中起到了促進(jìn)晶界的形成的作用，Co2O3具有增加勢(shì)壘高度、提高非線性系數(shù)的作用，而Cr2O3具有降低漏電流及提高非線性