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![化學(xué)氣相滲透顆粒預(yù)制體孔隙結(jié)構(gòu)的計算機(jī)模擬與驗證.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/17/e8530174-d256-4468-afc7-ebe1f50279f4/e8530174-d256-4468-afc7-ebe1f50279f41.gif)
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文檔簡介
1、Si3N4陶瓷耐磨、耐熱、耐蝕、化學(xué)穩(wěn)定性好,能夠在高溫高壓等惡劣的工作環(huán)境中工作,但由于其韌性不足而使其應(yīng)用受到限制。因此,常采用纖維、晶須和顆粒來增韌。其中纖維增韌復(fù)合材料具有類似金屬的斷裂行為,對裂紋不敏感,不會發(fā)生災(zāi)難性損毀的高可靠性特征;顆粒復(fù)合材料具有各向同性、成本低等特點,對纖維復(fù)合材料是一種補(bǔ)充。利用等溫化學(xué)氣相滲透法(IsothermalChemicalVaporInfiltration,簡寫為ICVI)制備顆粒陶瓷基
2、復(fù)合材料具有材料的微觀可設(shè)計性,但I(xiàn)CVI制備過程復(fù)雜,周期長,造粒大小影響到孔隙的大小,進(jìn)而影響沉積效果。采用適當(dāng)?shù)姆绞浇i3N4p/Si3N4顆粒復(fù)合材料ICVI過程的數(shù)學(xué)模型,對ICVI致密化過程進(jìn)行數(shù)值模擬,對Si3N4p/Si3N4顆粒復(fù)合材料的制備具有指導(dǎo)性意義。 本文根據(jù)Si3N4p顆粒預(yù)制體的孔隙結(jié)構(gòu),建立了球形孔隙模型;并通過實驗和數(shù)值模擬表征了Si3N4p/Si3N4顆粒復(fù)合材料的ICVI致密化過程;運用
3、遺傳算法對造粒大小進(jìn)行了優(yōu)化,主要研究內(nèi)容和結(jié)果如下: (1)采用掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope,簡稱SEM)觀測了通過造粒和模壓制得的預(yù)制體微結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)預(yù)制體中孔隙主要有兩類:顆粒間的孔隙和團(tuán)聚體之間的孔隙,類似于纖維預(yù)制體,但孔隙形狀較為復(fù)雜。 (2)根據(jù)Si3N4顆粒預(yù)制體的結(jié)構(gòu)特征,建立了球形孔隙傳質(zhì)模型,利用有限差分法對Si3N4p/Si3N4顆粒復(fù)合材料的ICVI致密化過
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