1、該實(shí)驗(yàn)擬采用研究單離子通道的膜片鉗技術(shù),直接測定TEC缺血再灌注損傷后鉀離子通道變化,并采用特異性鉀離子通道阻斷劑Ba<'2+>驗(yàn)證這些變化確實(shí)發(fā)生在鉀離子通道;同時觀察這些變化與細(xì)胞能量代謝及形態(tài)學(xué)改變之間的關(guān)系.通過以上研究,為進(jìn)一步深入了解腎缺血再灌注對TEC損傷的發(fā)生機(jī)制及其在腎移植后ARF以及DGF中的作用提供實(shí)驗(yàn)依據(jù).主要結(jié)果和結(jié)論如下:1.缺氧、氧化損傷后TEC能量代謝改變:正常培養(yǎng)條件下,TEC培養(yǎng)基中乳酸脫氫酶(LDH

2、)的水平較低,缺氧、氧化損傷后LDH漏出顯著增加(P<0.01),而缺氧組和氧化損傷組之間LDH漏出比較無差異(P>0.05),說明缺氧、氧化損傷可以造成細(xì)胞膜完整性的破壞,破壞程度基本一致.在鈉鉀—腺苷三磷酸酶活力、鈣—腺苷三磷酸酶活力表達(dá)中,正常組顯著高于缺氧、氧化損傷組(P<0.01),而缺氧組、氧化損傷組之間比較無顯著性差異(P>0.05),進(jìn)一步驗(yàn)證化學(xué)致傷模型模擬缺血再灌注的可靠性和有效性.2.缺氧、氧化損傷后細(xì)胞骨架改變:

3、TEC骨架由微絲、微管、中間絲組成,缺氧、氧化損傷后細(xì)胞骨架破壞、塌陷,網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和支架作用消失,說明細(xì)胞骨架的動力特性使之對缺氧和氧化損傷十分敏感,是TEC形態(tài)結(jié)構(gòu)破壞、代謝與功能耦合障礙的物質(zhì)基礎(chǔ)和重要前提.3.正常培養(yǎng)TEC細(xì)胞鉀離子通道特性:平均靜息電位(RMP)為-42.56±7.35mV(n=15);串聯(lián)阻抗(Rs)為11.58±2.98MΩ,膜電容(Rc)為10.51±1.88pF,翻轉(zhuǎn)電位約為-40mV.對通道的開放與關(guān)閉

4、活動的統(tǒng)計(jì)分析表明,通道開放時間分布服從單指數(shù)函數(shù),而關(guān)閉時間分布服從雙指數(shù)函數(shù)形式.4.化學(xué)缺氧、氧化損傷后TEC鉀離子通道改變:膜電位絕對值明顯增加,缺氧、氧化損傷和正常TEC膜K<'+>電流均有電壓依賴性,缺氧、氧化損傷組TEC的K<'+>電流振幅、膜電容和K<'+>電流密度現(xiàn)在大于正常TEC;與正常組TEC比較,缺氧、氧化損傷TEC膜K<'+>通道電流表達(dá)增加.5.K<'+>通道阻斷劑Ba<'2+>對三組TEC的作用:三組TEC