1、近年來，無源射頻識別技術(shù)在商品流通、制造業(yè)、物品和人員的跟蹤等多種領(lǐng)域已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。顯而易見，廉價的CMOS工藝在射頻波段表現(xiàn)出來的良好的性能必將使得超高頻RFID在供應(yīng)鏈管理領(lǐng)域得到革命性的發(fā)展。隨著RFID技術(shù)的進(jìn)步和CMOS工藝水平的發(fā)展，近年來射頻識別技術(shù)已經(jīng)成為一個研究熱點。 本文針對超高頻無源RFID標(biāo)簽芯片，給出了一些關(guān)鍵電路的原理和設(shè)計方案。從UHF RFID標(biāo)簽的總體結(jié)構(gòu)及工作原理入手，研究了無源UHF

2、RFID標(biāo)簽?zāi)M前端的電路結(jié)構(gòu)。本文重點是超高頻無源RFID標(biāo)簽?zāi)M前端調(diào)制解調(diào)電路、上電復(fù)位(POR)和基準(zhǔn)電流源的研究與設(shè)計。對于調(diào)制解調(diào)電路，本文先從基本理論研究入手，研究了調(diào)制與解調(diào)的方式和種類、原理和實現(xiàn)方法，給出了UHF RFID接口協(xié)議中有關(guān)內(nèi)容，然后以這些基本理論為基礎(chǔ)提出了調(diào)制和解調(diào)電路的設(shè)計方案。對于POR和基準(zhǔn)電流源的設(shè)計，在前人研究的基礎(chǔ)上，提出了本文的設(shè)計方案和電路結(jié)構(gòu)。進(jìn)行了電路模擬，并設(shè)計出了上述各模塊的版

3、圖以及給出了模擬前端總體電路的版圖。所有電路設(shè)計和版圖設(shè)計均采用SMIC0.18μm CMOS工藝。 本文的設(shè)計在前人研究的基礎(chǔ)上，在電路結(jié)構(gòu)上有所創(chuàng)新；對電路性能、功耗等各方面進(jìn)行了優(yōu)化。上電復(fù)位電路的設(shè)計達(dá)到了零功耗；電流基準(zhǔn)源的設(shè)計采用亞閾值技術(shù)，基準(zhǔn)電流只有100nA；調(diào)制和解調(diào)電路均采用ASK方式，使該電路對于不同的協(xié)議更具有通用性；解調(diào)電路中通過對電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，使該模塊對信號強度和調(diào)制深度的變化具有更好的適用性。