1、Al摻雜ZnO薄膜（AZO）是一種新型的透明導(dǎo)電薄膜，具有廣泛應(yīng)用前景。采用高密度AZO靶材用RF磁控濺射法在玻璃襯底上制備出AZO薄膜樣品，研究了鍍膜時間、靶襯距、Ar氣壓強(qiáng)、濺射功率、襯底溫度等制備工藝對薄膜的電阻率、透過率及薄膜結(jié)構(gòu)的影響，并進(jìn)一步優(yōu)化工藝參數(shù)，制備出性能優(yōu)良的AZO薄膜；針對AZO薄膜性能上和應(yīng)用中存在的問題，從復(fù)合薄膜的角度對膜系進(jìn)行了一些改進(jìn)嘗試。具體如下： 1、氬氣壓強(qiáng)小于0.8Pa時方阻在10--

2、20Ω/□范圍內(nèi)，變化很??；當(dāng)壓強(qiáng)增大到0.8Pa以后，方阻迅速增大到96Ω/□。同時隨著氬氣壓強(qiáng)增大，可見光透過率呈線性下降趨勢。在0.3-0.6Pa的氬氣壓強(qiáng)范圍內(nèi)，薄膜綜合性能較好。 2、電阻率隨濺射功率增大呈減小趨勢，功率從100W增加到200W時，從10-3 降低到10-4 量級，之后趨于飽和。同時薄膜透過率、紫外吸收區(qū)受濺射功率影響都較小。可以確定在200-300W范圍內(nèi)，是較佳的功率范圍。 3、電阻率在靶襯

3、距從38mm增加到45mm時逐步下降，當(dāng)靶襯距繼續(xù)增大后電阻率開始逐步上升。薄膜透過率也隨靶襯距的增大呈下降趨勢，在38mm靶襯距時可見光透過率只有74％。 4、提高襯底溫度可以提高沉積粒子的成膜活性，優(yōu)化薄膜結(jié)構(gòu)，減少界面缺陷，改善薄膜的光電性能。但過高的溫度，反而使薄膜晶向變差，薄膜性能降低。本組實驗中，襯底溫度在400--450℃范圍內(nèi)，薄膜具有良好電學(xué)及光學(xué)性能。 5、隨鍍膜時間增加，薄膜厚度線性增加，AZO薄膜

4、電學(xué)特性改善。但是厚度繼續(xù)增加，薄膜晶體結(jié)構(gòu)反而惡化，電阻率升高。在本組實驗中，30min時的樣品具有良好的導(dǎo)電性。隨鍍膜時間的增加，薄膜的透過率呈下降趨勢。 6、綜上所述，選定工藝參數(shù)在濺射功率為300W、襯底溫度為200℃、靶襯距為45mm、工作氣壓為0.3Pa、鍍膜30min時，獲得電阻率為2.3×10-4Ω.cm，透過率為81％的AZO薄膜樣品，綜合性能良好。 7、針對AZO薄膜抗功能衰退性等問題，嘗試了在AZO