10Gb-s GaAs-SiGe激光驅(qū)動器設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著社會的發(fā)展,信息交換量與日俱增。近年來,以光波為載體、光纖為傳輸媒質(zhì)的光纖通信異軍突起,發(fā)展十分迅速,已成為信息高速公路的主體。光纖通信適用于多種綜合數(shù)據(jù)業(yè)務(wù),具有容量大、傳輸距離遠(yuǎn)、節(jié)省能源、抗干擾、抗輻射等諸多優(yōu)點(diǎn),發(fā)展勢頭迅猛,是未來寬帶網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展方向。開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)、用于光纖傳輸?shù)母咚偌呻娐穼ξ覈畔⒒ㄔO(shè)具有重大意義。 用于光纖傳輸系統(tǒng)的光發(fā)射芯片包括復(fù)接器和激光驅(qū)動器兩塊關(guān)鍵電路。作為光發(fā)射芯片的關(guān)鍵電路

2、,激光驅(qū)動器電路的作用是提供一定的增益,放大復(fù)接器輸出的高速信號,驅(qū)動后面的激光二極管。由于它是光纖傳輸系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)從數(shù)字信號向模擬信號轉(zhuǎn)變、電壓信號向電流信號轉(zhuǎn)變、電信號向光信號轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵電路,因此在國內(nèi)外都得到了廣泛而深入的研究。 本文分析了激光驅(qū)動器的基本原理,并分別介紹了基于0.2μm GaAs PHEMT工藝和0.35μm SiGe BiCMOS工藝的10GbA激光驅(qū)動器電路的工藝背景、電路結(jié)構(gòu)、應(yīng)用技術(shù)、設(shè)計過程,比較

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