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![無(wú)Sb和Pb ZnO壓敏電阻器制備及性能研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/17/34453443-3c8e-40ca-a802-3bb16c732b3e/34453443-3c8e-40ca-a802-3bb16c732b3e1.gif)
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文檔簡(jiǎn)介
1、本文論述了ZnO壓敏電阻的性能、用途、分類(lèi)、研究動(dòng)態(tài)和發(fā)展趨勢(shì);討論了ZnO壓敏電阻微觀結(jié)構(gòu)中晶粒、晶界的結(jié)構(gòu)、組成及性能對(duì)壓敏電阻電學(xué)性能的影響;分析了ZnO晶粒半導(dǎo)特性、ZnO壓敏電阻晶界能帶結(jié)構(gòu)及晶界能帶導(dǎo)電的機(jī)理。研究了ZnO壓敏陶瓷粉料預(yù)處理對(duì)坯體致密度的影響,結(jié)果表明:在濕法球磨中加入適量高分子表面活性劑PVA(1%~3%粉料質(zhì)量),當(dāng)球磨時(shí)間小于30h時(shí),高分子表面活性劑PVA未起重要作用;當(dāng)球磨時(shí)間大于30h時(shí),高分子表
2、面活性劑PVA不僅起助磨、防止顆粒團(tuán)聚作用,而且使粉料顆粒形貌趨于近球形;當(dāng)球磨40h時(shí),施以單向180MPa的壓力干壓成型,得到致密度為4.45g/cm3的ZnO壓敏陶瓷坯體。通過(guò)ZnO壓敏陶瓷實(shí)際Bi元素含量的研究表明:采用電感耦合等離子體光學(xué)放射光譜儀檢測(cè)樣品Bi元素含量,實(shí)際檢測(cè)極限為1ppm,通過(guò)優(yōu)化燒結(jié)方式,有效控制了Bi元素?fù)]發(fā)量。在以上研究的基礎(chǔ)上,研究Nb2O5替代Sb2O3摻雜對(duì)ZnO壓敏陶瓷電學(xué)性能的影響發(fā)現(xiàn):當(dāng)燒
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