微納半導體氧化物的水熱合成及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、納米材料由于其獨特的物理、化學性質以及潛在的應用價值而成為當今基礎與應用研究的熱點之一。半導體材料由于在環(huán)境凈化和太陽能轉換方面具有較好的應用前景,在過去的十幾年里一直是人們研究的熱點。在眾多的半導體材料中,氧化鋅和二氧化鈦由于具有高的光催化活性、化學穩(wěn)定性、廉價、無毒性等優(yōu)點,成為最具有應用前景的材料。納米材料的性能不僅取決于其化學組成、晶相、尺寸、形貌還與其組裝形態(tài)有關。因而納米材料的可控制合成和性能研究具有深遠的意義。 目

2、前,制備納米材料的方法較多,但大多數(shù)制備方法影響因素較多、制備工藝復雜或需要特殊的儀器設備及反應需在高溫下進行等。對比于傳統(tǒng)的高溫煅燒和氣相沉積法,水熱法是一種條件溫和、環(huán)境友好的綠色合成方法。文中采用水熱法,一步合成了具有復雜結構的氧化鋅納米樹、納米梳陣列和二氧化鈦空心微球。 (1) 在沒有催化劑和模板的條件下,利用水熱法一步合成多級定向排列的ZnO納米樹結構,通過XRD、SEM、TEM、HRTEM、SAED等測試手段對ZnO

3、結構進行深入系統(tǒng)的分析,揭示了納米樹中傾斜的納米刀片狀ZnO“枝”是由于ZnO的(10-1-1)和(0002)面的較小的扭曲融合作用生成的,這種結構可能是復雜的纖鋅礦半導體枝晶結構中的新的結構。另外,提出了ZnO納米樹的可能生長機理,并對室溫條件下ZnO納米樹的發(fā)光及光催化性能進行研究。 (2) 在成功合成ZnO納米樹的基礎上,通過改變水熱反應介質,合成出雙面的ZnO納米梳陣列,通過XRD、SEM、TEM、HRTEM、FFT等測

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