1、隨著信息技術(shù)的迅猛發(fā)展，用光代替電作為信息的載體，加快信息的傳遞速度，已成為光通訊技術(shù)和光電子計(jì)算機(jī)發(fā)展的必然趨勢。光電子信息材料是本世紀(jì)最受關(guān)注的材料之一，光電子集成器件在信息時(shí)代有極其重要的作用。由于硅平面集成工藝己相當(dāng)成熟，所以從工藝兼容性方面考慮，用硅基材料作為發(fā)光器件將會是最佳的選擇。同時(shí)，硅基材料和硅平面工藝是超大規(guī)模集成電路的核心和關(guān)鍵，納米硅晶（納米鍺晶等）在發(fā)光器件、光探測器件、光電集成以及傳感器等領(lǐng)域有更廣闊的應(yīng)用前

2、景。由于二氧化硅是硅基集成電路的鈍化膜和介質(zhì)膜，與硅基平面工藝完全兼容，如果能有效地提高納米硅/二氧化硅體系的發(fā)光效率，就可以實(shí)現(xiàn)光電集成。
　　 為了探索制備理想的發(fā)光材料的最佳工藝方法，并且從理論上認(rèn)清其發(fā)光機(jī)制，對優(yōu)化材料的適用條件和制備手段進(jìn)行指導(dǎo)，本論文中，我們小組主要用射頻磁控濺射雙靶交替淀積技術(shù)制備了Au/(C/SiO2)/p-Si 結(jié)構(gòu)的樣品，測定了樣品在室溫下的I-V 特性曲線以及不同正（反）向偏壓下的電致發(fā)光

3、譜。對其載流子輸運(yùn)及電致發(fā)光的內(nèi)在機(jī)制進(jìn)行了研究。
　　 載流子輸運(yùn)機(jī)制的研究，主要是利用Au/(C/SiO2)/p-Si 結(jié)構(gòu)的I-V 特性曲線研究了該結(jié)構(gòu)的電流輸運(yùn)機(jī)制，結(jié)果表明，在較低的正向偏壓下，電流輸運(yùn)機(jī)制歐姆輸運(yùn)電流機(jī)制，而在較高的正向偏壓下，為Schottky 發(fā)射和Frenkel-Poole 發(fā)射電流兩種機(jī)制共同作用的結(jié)果，但以Schottky 發(fā)射機(jī)制為主。
　　 在對電致發(fā)光機(jī)制的研究中，利用位形坐標(biāo)