1、眾所周知，集成電路的對(duì)稱(chēng)性比分離元件的好，原因除了器件制作過(guò)程中制作工藝不同以外，就是其原材料－單晶硅的質(zhì)量問(wèn)題造成的。單晶硅質(zhì)量的好壞與其生產(chǎn)設(shè)備的精度以及結(jié)晶過(guò)程中熱量運(yùn)輸是否均勻等因素引起的晶體缺陷多少有關(guān)。單晶硅通常是在晶體生長(zhǎng)爐中通過(guò)提拉制造的，在提拉過(guò)程中，提拉速度直接影響熱量運(yùn)輸及其晶體缺陷，從而影響到單晶硅的質(zhì)量。 在單晶硅提拉過(guò)程中，單晶硅的重量是連續(xù)增長(zhǎng)的，且由于單晶硅對(duì)直徑精度的要求非常高，所以要求其速度控

2、制系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度要非常快、超調(diào)量要非常小、抗干擾性能要很強(qiáng)。速度控制系統(tǒng)性能與控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)所使用器件的性能和控制器所采用的控制方法有關(guān)。控制系統(tǒng)中可采用的控制方法多種多樣，如PID控制、模糊控制、專(zhuān)家系統(tǒng)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制等，這些控制方法都各有自己的特點(diǎn)?，F(xiàn)行的單晶硅速度控制系統(tǒng)所采用的幾種控制方法，在一定程度上抑制了單晶硅缺陷的產(chǎn)生，比較好的解決了單晶硅的質(zhì)量問(wèn)題，但還是存在某些缺陷。 本文首先通過(guò)分析晶體結(jié)晶過(guò)程的熱