4H-SiC MESFET的大信號(hào)模型及微波功率合成研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碳化硅（SiC）材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)良特性，這些特性決定了它在高溫、大功率、高頻和抗輻照等領(lǐng)域的有著廣泛的應(yīng)用前景。因此基于4H-SiC 的功率微波器件——金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）受到了人們的極大關(guān)注與重視。 4H-SiC MESFET 的大信號(hào)建模雖然比較復(fù)雜，但是對(duì)它的準(zhǔn)確建模卻對(duì)微波/射頻器件和電路的分析與設(shè)計(jì)有著至關(guān)重要的作用。然而，至今仍然沒有非常準(zhǔn)確的基于物

2、理的4H-SiC MESFET 大信號(hào)的建模方法，因此，建立具有清晰的物理意義而且算法簡單的4H-SiC MESFET 的大信號(hào)模型對(duì)微波/射頻器件和電路的優(yōu)化是十分必要的。 4H-SiC MESFET 的大信號(hào)非線性模型分析是本文重點(diǎn)工作之一。本文采用MESFET 非線性等效電路建模方法，對(duì)其中最重要的非線性元件Ids、Cgs、Cgd 建立理論模型：從器件內(nèi)部載流子輸運(yùn)機(jī)理的物理特性出發(fā)，考慮4H-SiC 常溫下雜質(zhì)不完全離化

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