1、半導體光放大器（SOA）是未來全光網(wǎng)中十分重要的光有源器件，無論是在光信號處理、光通信網(wǎng)絡，還是在生物醫(yī)學光子學、光傳感等領域都具有廣泛的應用前景，尤其是對現(xiàn)有光纖網(wǎng)絡在1.3μm波段擴容具有重要的意義。在光纖通信系統(tǒng)中，作為未來全光網(wǎng)絡中的關鍵光子器件以及光子集成（PIC）和光電子集成（OEIC）中的重要功能單元，半導體光放大器也將發(fā)揮越來越重要的作用。
　　 高增益、高飽和輸出功率、偏振無關性是光網(wǎng)絡對半導體光放大器提出的基

2、本要求。為提高半導體光放大器的性能并增加其與其它光電子器件集成的靈活性，偏振相關性是亟待解決的問題之一，半導體能帶工程的發(fā)展使得偏振無關的增益可以通過采用應變量子阱結構來實現(xiàn)。本論文從理論上分析了應變的引入對低維量子材料能帶結構的影響，并設計了4C3T（C和T分別代表壓應變量子阱和張應變量子阱）的InGaAsP/InP混合應變多量子阱結構來實現(xiàn)增益的偏振不相關性。
　　 本論文采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備對體材料，

3、壓應變、張應變和混合應變量子阱結構材料進行了生長，并通過電化學電容電壓剖析儀（ECV）、光熒光譜儀（PL）和X射線雙晶衍射儀（XRD）等儀器對生長的外延材料進行了測試分析，最終為器件的制作提供了高質量的外延材料。
　　 量子點半導體光放大器具有高微分增益、高飽和輸出功率、超快的增益恢復時間等優(yōu)點，可以實現(xiàn)對高速率光信號無碼型效應的光放大和信號處理。本論文在InAs/GaAs量子點方面做了理論分析和工藝生長。通過控制MOCVD反應