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文檔簡介
1、半導體發(fā)光二極管(LED)器件具有省電、體積小、發(fā)熱量低、壽命長、響應快、抗震耐沖、可回收、無污染、可平面封裝、易開發(fā)成輕薄短小產(chǎn)品等優(yōu)點,被認為是21世紀最有價值的新光源。目前,白光LED器件主要采用藍光LED芯片激發(fā)石榴石型黃色熒光粉YAG:Ce,其產(chǎn)品已獲得工業(yè)化應用?,F(xiàn)行制備YAG:Ce熒光粉的方法主要是固相燒結法,但是它的合成溫度高、熒光粉形狀不規(guī)則、粒徑偏大、粉碎導致光損失,嚴重影響其使用性能。噴霧熱解法是一種直接將原料溶解
2、混合形成的溶液轉化為固態(tài)顆粒的方法,具有產(chǎn)物形狀規(guī)則、尺寸可控、粒徑分布窄、儀器設備簡單、易于工業(yè)化等特點,是一種合成高性能熒光粉的最有潛力的新方法。 實驗采用噴霧熱解二步法合成石榴石型YAG:Ce熒光粉,并對影響熒光粉形貌及發(fā)光特性的因素進行了分析,初步探討了熒光粉摻雜機理及助熔劑作用機制。其主要研究內容和結果有: (1)綜述了白光LED的發(fā)光原理、實現(xiàn)途徑以及關鍵材料,分析比較了熒光粉的制備技術特點; (2)
3、研究了激活劑Ce<'3+>的摻雜量、檸檬酸、聚乙二醇、助熔劑等因素對熒光粉的影響,獲取了發(fā)光強度高,顆粒為球形,尺寸分布窄的熒光粉的最佳制備條件; (3)摻雜Gd<'3+>、Tb<'3+>制備的熒光粉的發(fā)射峰值波長隨著摻雜量的增加出現(xiàn)紅移,摻入Li<'+>、B<'3+>其發(fā)射峰值波長有一定程度的藍移;Gd<'3+>取代60%或Tb<'3+>取代80%的Y<'3+>時發(fā)光強度達到極大值,其發(fā)射波長在538nm; (4)適當
4、加入氟化物助熔劑可增強原料反應活性,降低石榴石相形成溫度;摻Ce<'3+>石榴石熒光粉的光譜移動在于其所處的畸變立方晶體場,摻入Tb<'3+>、Gd<'3+>后畸變加大,Ce<'3+>的5d能級劈裂程度加大,5d-4f躍遷能量降低,發(fā)射波長紅移,摻入Li<'+>、B<'3+>則減小了畸變,故發(fā)射波長藍移; (5)將藍光LED芯片與制備的熒光粉封裝形成白光LED,其色坐標為x=0.3184,y=0.3419,色溫Tc為6165K.
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