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![電泳沉積法制備納米磁電多鐵性復(fù)合薄膜的研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/16/dd7d259e-4f53-4958-8981-e85ce27af834/dd7d259e-4f53-4958-8981-e85ce27af8341.gif)
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1、本課題利用溶膠-凝膠法制備了納米級(jí)的鈦酸鋇(BaTiO3)粉體,利用共沉積法制備了鈷鐵氧體(CoFe2O4)粉體。
對(duì)膠體懸浮液的配制進(jìn)行了探索,采取乙醇加乙酰丙酮的體系,配制出了穩(wěn)定的BaTiO3、CoFe2O4、NiFe2O4膠體懸浮液。對(duì)膠體懸浮液的運(yùn)動(dòng)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)和穩(wěn)定性做了比較深入的研究,從微觀上闡述了穩(wěn)定的膠體懸浮液的形成機(jī)制。
搭建了簡(jiǎn)易的電泳沉積平臺(tái),對(duì)電泳沉積用襯底電極材料Pt/Ti/Si
2、O2/Si和ITO導(dǎo)電膜玻璃做了一定的比較研究。在ITO導(dǎo)電膜玻璃上電泳沉積出了BaTiO3單層膜、CoFe2O4單層膜、NiFe2O4單層膜、BaTiO3-CoFe2O4雙層膜、BaTiO3-NiFe2O4雙層膜、BaTiO3-CoFe2O4混合膜、BaTiO3-NiFe2O4混合膜。對(duì)BaTiO3單層膜而言,沉積電壓30V,沉積時(shí)間10min可以得到比較合格的BaTiO3單層膜。CoFe2O4單層膜的一般沉積電壓為30V,沉積時(shí)間為
3、3min。NiFe2O4單層膜的沉積電壓是30V,沉積時(shí)間取2min。以上三種單層膜的退火工藝都是以250 ℃/h的升溫速率,550 ℃下保溫20min。制得合格的BaTiO3單層膜后,在其上面繼續(xù)電泳沉積CoFe2O4或者NiFe2O4,這樣就得到了BaTiO3-CoFe2O4雙層膜或者BaTiO3-NiFe2O4雙層膜。用BaTiO3粉體和CoFe2O4粉體配制成的混合懸浮液,可以電泳沉積得到BaTiO3-CoFe2O4混合膜。Ba
4、TiO3粉體和NiFe2O4粉體配制成的混合懸浮液,可電泳沉積BaTiO3-NiFe2O4混合膜。
對(duì)薄膜的表面形貌和電磁性能做了分析。BaTiO3單層膜的鐵電性能較好,CoFe2O4單層膜和NiFe2O4單層膜的鐵磁性能較好。由于雙層膜和混合膜表面都一定程度地存在漏電流,所以其鐵電性能不理想。相比較而言,BaTiO3-CoFe2O4雙層膜和BaTiO3-CoFe2O4混合膜的矯頑力和剩磁較大,但是漏電流過大,鐵電性能不理
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