1、基于模擬電荷法的高壓直流輸電線路下合成電場的仿真計算重慶大學碩士學位論文學生姓名：陳曉鑫指導教師：李永明副教授專業(yè)：電氣工程學科門類：工學重慶大學電氣工程學院二O一一年四月重慶大學碩士學位論文中文摘要I摘要隨著我國越來越多直流輸電工程的開工建設，一些突出的問題也逐漸顯露出來并引起了人們的關注。直流輸電線路的電磁環(huán)境的問題是社會各界所關心的焦點問題之一。高壓直流輸電線路運行時的電磁環(huán)境影響因素主要包括合成電場、離子流密度、磁場、可聽噪聲和

2、無線電干擾。其中，影響直流輸電線路電磁環(huán)境的主要因素是合成電場和離子流密度，而這又與導線表面的電場分布密切相關。本文首先采用解析法，通過對實際情況采取一定的簡化假設，提出了高壓直流輸電線路合成電場和離子流密度的一維數值計算方法。將用此方法仿真計算的離子流場結果與文獻所提供的結果進行比較，證明了本論文所建立的直流輸電線路的合成電場和離子流密度的計算方法是可行及準確的。在此基礎上，分析了線路參數（高度、極間距、分裂間距、子導線半徑）和環(huán)境因

3、素（溫度、海拔、降雨）的變化對500kV直流輸電線路的合成電場和離子流密度的影響。其次，在一維模型的基礎上，研究了計及地電位升高的高壓直流輸電線路的合成場和離子流密度的計算模型，并研究了地電位升高值、導線高度、極間距等參數不同時輸電線路的合成場和離子流密度的變化趨勢。計算結果表明，地電位升高會使HVDC輸電線路地面的離子流場值增大，但不影響其分布規(guī)律，考慮了地電位升高的情況得到的計算結果更接近實際條件下的HVDC離子流場分布情況。最后，