1、本文通過研發(fā)設(shè)計脈沖低溫等離子體電源研發(fā)和反應(yīng)器設(shè)計，進(jìn)行低溫等離子體處理含汞廢氣的實驗研究，重點研究了電源參數(shù)（放電頻率、放電電壓）、煙氣在反應(yīng)器中的停留時間對單質(zhì)汞氧化率的影響，同時研究了模擬煙氣中 O2含量、HC l添加量對脫汞效果的影響，并以此分析脈沖低溫等離子體脫汞技術(shù)的作用機(jī)理，并應(yīng)用于廢棄熒光燈管回收資源化處置工程應(yīng)用中。
　　實驗研究結(jié)果表明：1）放電電壓高于8KV時，等離子體對單質(zhì)汞有明顯氧化效果，且電壓越高，處

2、理效果越好，但高電壓下容易被擊穿；而隨著放電頻率的增加，單質(zhì)汞濃度迅速下降；峰值電壓9KV、放電頻率400Hz時氧化效果最經(jīng)濟(jì)。2）隨著單質(zhì)汞初始濃度增加，處理效率先增后減，Hg0初始濃度為253.4μg/m3時，Hg0氧化效率最高。3）停留時間越長，反應(yīng)越充分，停留時間高于7s時，氧化率達(dá)到91.65%。4）O2、HCl單組分對單質(zhì)汞氧化有促進(jìn)作用。O2的效果相比于HCl明顯。0%O2/0% Cl2氛圍的氧化率為0，20%O2/0pp