1、《電磁場與電磁波電磁場與電磁波》模擬試卷模擬試卷4一、填空題（本大題共10小題，每小題3分，共30分）1.設，222()()()()()()xyzRxxyyzzxxeyyezze?????????????????????，R=，=，=0R??R?R??AR2(1)R?2.在國際單位制中磁感應強度的單位是__________，電位移矢量的單位是__________磁導率BD的單位是__________，介電常數的單位是__________

2、。??3.靜電場由產生，產生發(fā)散場；靜磁場由產生，產生。4.電流密度的單位為，其數值等于。5.在任何情況下，媒質交界面處的切向和法向都是連續(xù)的。6.瞬時坡印廷矢量的定義為，其含義為。S7.當均勻平面電磁波由理想介質1向理想介質2的界面垂直入射時，透射系數的值域為，反射系數的值域為；介質1中的合成電磁場為波，介質2中的合成電磁場為波。8.在具有相同導磁率的兩理想介質界面處，若由介電常數為的介質以入射角?向介電常數為的1?2?介質入射，則介

3、質中的折射角。若，則；若要實現全反射，則2???12?????應不小于。?9.若，則，它是向方向傳播的橫波。201sinjkzyEkxe??Ee?Hx?ez?e10.電基本陣子的方向函數為＿＿＿＿＿，方向系數為。二、單項選擇題（本大題共10小題，每小題3分，共30分）1.是0()jkzxyEje?????EeeA.左旋圓極化B.左旋橢圓極化C.右旋圓極化D.右旋橢圓極化2.若兩理想介質的導磁率相同，介質1邊界處的磁場強度的切向和法向分量

4、分別為和，介1tH1nH質2邊界處的磁場強度的切向和法向分量分別為和，則2tH2nHA.，B.，12ttHH?12nnHH?12ttHH?12nnHH?C.，D.12ttHH?12nnHH?12ttHH?12nnHH?3.的瞬時值為()0jjzyHHe?????A.B.0cos()Htkzjz????0cos()zHetkz????C.D.()0cosjkjzHet????0cos()jkzHetz????《電磁場與電磁波電磁場與電磁波

5、》模擬試卷模擬試卷4答案答案一、填空題（本大題共10小題，每小題3分，共30分）1.設，222()()()()()()xyzRxxyyzzxxeyyezze?????????????????????，R=，=?3，=0R??RR???AR2(1)R?2.在國際單位制中磁感應強度的單位是，電位移矢量的單位是，磁導率的B2WbmD2Cm?單位是，介電常數的單位是。Hm?Fm3.靜電場由電荷產生，電荷產生發(fā)散場；靜磁場由電流產生，電流產生渦旋

6、場。4.電流密度的單位為，其數值等于單位面積上的電流IS。2Am5.在任何情況下，媒質交界面處的切向電場強度分量和法向磁感應強度分量都是連續(xù)的。6.瞬時坡印廷矢量的定義為，其含義為單位面積上的功率流密度。S?S=EH7.當均勻平面電磁波由理想介質1向理想介質2的界面垂直入射時，透射系數的值域為，02???反射系數的值域為；介質1中的合成電磁場為行駐波波，介質2中的合成電磁場11????為行波波。8.在具有相同導磁率的兩理想介質界面處，若

7、由介電常數為的介質以入射角?向介電常數為的1?2?介質入射，則介質中的折射角。若，則；若要實現2???112sin(sin)????12?????全反射，則應不小于。?121sinc?????臨界角9.若，則，它是向201sinjkzyEkxe??Ee?H2201sinjkzkEkxe???Hx?e2101cosjkzjkEkxe??z?e_—z_方向傳播的橫電波。10.電基本陣子的方向函數為，方向系數為1.5。sin?二、單項選擇題（