1、華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電氣工程系《高電壓技術(shù)高電壓技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料綜合復(fù)習(xí)資料一、填空題（占一、填空題（占4040分）分）1、湯遜理論主要用于解釋短氣隙、低氣壓的氣體放電。2、“棒—板”電極放電時(shí)電離總是從棒開始的。3、正極性棒的電暈起始電壓比負(fù)極性棒的電暈起始電壓低，原因是崩頭電子被正極性棒吸收有利于電子崩的發(fā)展。4、電力系統(tǒng)中電壓類型包括工頻電壓、直流電壓、雷電沖擊電壓和操作沖擊電壓等4種類型。5、在rR等于0.33時(shí)同軸圓筒的絕緣

2、水平最高。6、沿面放電包括沿面滑閃和沿面閃絡(luò)兩種類型。7、電介質(zhì)的電導(dǎo)包括離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)兩種類型，當(dāng)出現(xiàn)電子電導(dǎo)時(shí)電介質(zhì)已經(jīng)被擊穿。8、弱極性液體介質(zhì)包括變壓器油和蓖麻油等，強(qiáng)極性液體介質(zhì)包括水和乙醇（至少寫出兩種）。9、影響液體介質(zhì)擊穿電壓的因素有__電壓形式的影響__、_溫度__、_含水量__、_含氣量的影響、雜質(zhì)的影響、油量的影響（至少寫出四種）。10、三次沖擊法沖擊高電壓實(shí)驗(yàn)是指分別施加三次正極性和三次負(fù)極性沖擊電壓的實(shí)驗(yàn)。

3、11、變壓器油的作用包括絕緣和冷卻。12、絕緣預(yù)防性實(shí)驗(yàn)包括絕緣電阻、介質(zhì)損耗角正切、工頻高壓試驗(yàn)、直流高壓試驗(yàn)和沖擊高電壓試驗(yàn)等。13、雷電波沖擊電壓的三個(gè)參數(shù)分別是波前時(shí)間、半波時(shí)間和波幅值。14、設(shè)備維修的三種方式分別為故障維修、預(yù)防維修和狀態(tài)維修。15、介質(zhì)截至損耗角正切的測量方法主要包括基波法和過零相位比較法兩種。16、影響金屬氧化物避雷器性能劣化的主要是阻性泄漏電流。17、發(fā)電廠和變電所的進(jìn)線段保護(hù)的作用是降低入侵波陡度和降

4、低入侵波幅值。18、小波分析同時(shí)具有在時(shí)域范圍和頻域范圍內(nèi)對信號(hào)進(jìn)行局部分析的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛用于電力系統(tǒng)局部放電的檢測中。19、電力系統(tǒng)的接地按其功用可為工作接地、保護(hù)接地和防雷接地三類。20、線路末端短路時(shí)電壓反射波為與入射波電壓相同，電流反射波為與入射波電流相反。華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電氣工程系場強(qiáng)度最高的地方，纖維首尾連接，在電極間形成導(dǎo)電橋，纖維橋電導(dǎo)率大，電流密度大，引起的焦耳熱大，會(huì)使得纖維附近的潮氣和個(gè)別低沸點(diǎn)的液體蒸發(fā)成

5、氣泡，并擊穿，此種擊穿稱為纖維橋擊穿。6、進(jìn)線段保護(hù)在變電所進(jìn)線長度為1~2km范圍內(nèi)裝設(shè)避雷線和避雷針后，為了防止入侵波引起的過電壓超過變壓器設(shè)備的絕緣水平而損壞設(shè)備，通過在進(jìn)線段并聯(lián)電容和串聯(lián)電抗器等措施，以降低入侵波的陡度和幅值，從而達(dá)到降低入侵波引起的過電壓水平。這叫做變電所、發(fā)電廠的進(jìn)線段保護(hù)。7、彼德遜法則沿線路傳來的電壓波加倍作為等值電壓源；1u線路波阻抗用數(shù)值相等的電阻來代替作為等值電壓源內(nèi)阻；1Z為負(fù)載，負(fù)載可以是波阻

6、抗，也可以是電阻、電感、電容等集中參數(shù)。2Z求等值回路中A點(diǎn)的電壓，即電壓折射波，該等值電路法則稱為彼德遜法則2u8、耐雷水平耐雷水平是指雷擊線路時(shí)線路絕緣不發(fā)生閃絡(luò)的最大雷電流幅值9、電弧間歇接地單相接地故障時(shí)，由于接地電容電流的增大，故障消失后，電弧難以自動(dòng)熄滅，但又不會(huì)形成穩(wěn)定的電弧，當(dāng)電流過零時(shí)電弧熄滅，之后又重燃，引起電路的震蕩，這種“熄滅——重燃”稱為電弧間歇接地三、問答題三、問答題1、請問湯遜理論的實(shí)質(zhì)是什么，湯遜理論與流

7、注理論在解釋氣體放電方面有什么區(qū)別？1）湯遜理論認(rèn)為電子碰撞電離是氣體放電的主要原因。二次電子主要來源于正離子碰撞陰極，而陰極逸出電子。二次電子的出現(xiàn)是氣體自持放電的必要條件。二次電子能否接替起始電子的作用是氣體放電的判據(jù)。流注理論認(rèn)為氣體放電的必要條件是電子崩達(dá)到某一程度后，電子崩產(chǎn)生的空間電荷使原有電場發(fā)生畸變，大大加強(qiáng)崩頭和崩尾處的電場。另一方面氣隙間正負(fù)電荷密度大，復(fù)合作用頻繁，復(fù)合后的光子在如此強(qiáng)的電場中很容易形成產(chǎn)生新的光電