1、項目名稱：高性能高性能LEDLED制造與裝備中的關鍵基礎問制造與裝備中的關鍵基礎問題研究題研究首席科學家：劉巖劉巖深圳清華大學研究院深圳清華大學研究院起止年限：2011.112016.82011.112016.8依托部門：深圳市科技工貿(mào)和信息華委員會深圳市科技工貿(mào)和信息華委員會難加工襯底材料表面原子級平坦化（表面粗糙度Ra0.1nm）和高效去除（去除速率大于6μmh）方法，解決襯底材料的平坦化難題。針對這些難點，設置三方面研究內(nèi)容：1）

2、大尺寸同大尺寸同質(zhì)襯質(zhì)襯底生成及缺陷控制原理與裝底生成及缺陷控制原理與裝備實現(xiàn)備實現(xiàn)建立適用于HVPE快速生長非平衡態(tài)體系的熱力學過程和動力學生長模型，考慮化學反應及反應副產(chǎn)物等動力學因素，并利用此模型對外延膜表面的形核、長大及聚結(jié)進行深入分析；在反應腔尺寸放大條件下，進行流場溫度場均勻性設計，實現(xiàn)GaN厚膜厚度均勻性和晶體質(zhì)量均勻性控制；研究自支撐GaN厚膜HVPE的生長動力學特性，探索晶格失配、熱失配、形核與聚結(jié)等對厚膜應力生成和積

3、聚的影響規(guī)律，尋找降低或阻斷應力和缺陷生成的方法，建立三維應力模型；為解決晶體生長過程中不同沉積速率與反應腔噴頭、流量控制精度的匹配，減少多工作點不匹配造成的缺陷增多問題，構(gòu)建由高溫工藝腔聯(lián)接的多腔分步反應腔系統(tǒng)，以高效率批量獲得高質(zhì)量GaN襯底。擬研究以下五部分內(nèi)容：（1）HVPE生長非平衡態(tài)體系的動力學生長模型及三維應力模型；（2）反應腔尺寸放大條件下的均勻流場溫度場設計；（3）GaN厚膜厚度均勻性和晶體質(zhì)量均勻性控制理論；（4）應