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![長波帶間級聯(lián)探測器結構設計_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-9/22/20/4ad0cba2-ed06-4174-bc0d-8a4eeceb42f9/4ad0cba2-ed06-4174-bc0d-8a4eeceb42f91.gif)
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文檔簡介
1、基金項目:基金項目:國家自然科學基金(61534006,61290302,615052376150523561404148),國家重點研發(fā)計劃(2016YFB0402403),中國科學院青年創(chuàng)新促進會會員資助(2016219)FoundationFoundationitems:items:SupptedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(NSFC61534006,61290302,6
2、15052376150523561404148)theNationalKeyResearchDevelopmentProgramofChina(2016YFB0402403)theYouthInnovationPromotionAssociation(2016219)作者簡介作者簡介(Biography)(Biography):田源(1992),男,山東淄博人,碩士研究生在讀,主要研究領域為半導體光電子.Email:tianyuan@s
3、hanghaitech.通訊作者通訊作者:Email:...長波帶間級聯(lián)探測器結構設計田源123,周易1,柴旭良12,徐志成1,陳建新123,何力1(1.中國科學院上海技術物理研究所上海200083;2.中國科學院大學北京100049;3.上??萍即髮W,上海201210)摘要:要:本文針對帶間級聯(lián)結構在長波探測上的設計應用,采用包絡函數(shù)近似下的二帶模型和傳輸矩陣方法,考慮電子和輕空穴耦合,計算了帶間級聯(lián)結構多量子阱弛豫區(qū)的Ek關系和詳細
4、能帶信息。特別優(yōu)化了弛豫區(qū)結構,在保證光生載流子在弛豫區(qū)中隧穿幾率的前提下首次利用周期性量子阱結構拓展弛豫區(qū)厚度,降低吸收區(qū)中電場強度,抑制產(chǎn)生復合電流和隧穿電流,提高器件電學性能。制備的該兩級結構長波帶間級聯(lián)探測器10.5μm處量子效率達到了20%,證實了弛豫區(qū)與隧穿區(qū)具有良好的光生載流子輸運。器件在80K下50%截止波長為11.5μm,是目前帶間級聯(lián)結構在80K工作溫度下所獲得最長波長的紅外探測器。關鍵詞關鍵詞:長波帶間級聯(lián)探測器;
5、傳輸矩陣方法;能帶中圖分類號:中圖分類號:TN302文獻標識碼:文獻標識碼:AStructuraldesignofLongwavelengthinterbcadephotodetectsTIANYuan123ZHOUYi1CHAIXuLiang12XUZhiCheng1CHENJianXin123HELi1(1.ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics,ChineseAcademyofSciences,Sh
6、anghai200083,China2.UniversityofChineseAcademyofScienceBeijing100049China3.ShanghaiTechUniversityShanghai201210China)Abstract:InthispaperdirectedatdesignapplicationoftheinterbcadestructureinlongwavelengthdetectionEkrelat
7、ionenergybinfmationofMultiquantumwellrelaxationregionwerecalculatedbyusingtwobmodelundertheenvelopefunctionapproachtransfermatrixmethod.Thestructureofrelaxationregionwasspeciallyoptimized.Onthepremiseofthetunnelingproces
8、sofphotongeneratedcarriersinrelaxationregiontheelectricfieldofabsptionregionwasreducedtosuppressgenerationrecombinationcurrenttunnelingcurrenttoimprovetheelectricalperfmanceofdevice.Thequantumefficiencyofprepareddoublest
9、ageinterbcadephotodetectwasupto20%at10.5μmwhichprovedthattherelaxationregiontunnelingregionhadwelltransptofphotoexcitedcarriers.The50%cutoffwavelengthofthedevicewas11.5μmat80Kwhichwasthelongestwavelengthinfrareddetectofi
10、nterbcade陣方法,通過Matlab對帶間級聯(lián)探測器弛豫區(qū)能帶結構進行計算和優(yōu)化,確保載流子正常輸運。利用Crosslight模擬器件整體電場分布,優(yōu)化器件各個區(qū)域厚度,抑制器件暗電流。優(yōu)化后的器件結構通過分子束外延和器件工藝,成功制備了長波帶間級聯(lián)探測器,驗證了結構設計。1理論部分1.1二帶模型與傳輸矩陣方法[9,10]計算模型采用的是基于包絡函數(shù)近似下的二帶模型,由于弛豫區(qū)只涉及電子能級的計算,因此只考慮電子和輕空穴耦合。該方
11、法計算簡潔,易于編程實現(xiàn)。設沿z方向導帶和價帶波函數(shù)分別為和,則有二帶薛定諤方程如下:v(1)[Ec?2220?Pk?Pk??2220][v]=[v]其中k為波矢,P為動量矩陣元,E為電子能量,和分別為導帶和價帶能級,Ec0為自由電子質量。(2)?=(?1022)?1P的值由(2)式給出,其中為電子有效質量。?(1)式中薛定諤方程的通解可表示為:(3)[v]=[()(?)[()?(?)]]其中,,,A和B為波函數(shù)系數(shù),其值由=?Pk?k
12、=[(?)(?)]12(?P)邊界條件確定??紤]相鄰界面處波函數(shù)連續(xù),由(3)式得到相鄰兩層材料i和j在界面j處波函數(shù)的關系如下:(4)()[]=()[]其中和均為第i層材料中波函數(shù)的系數(shù),()=。[exp()exp(?)exp()?exp(?)]對(4)式變形得到(5)[]=()?1()[]其中。()?1=12[exp(?)exp(?)exp()?exp(?)]綜上,通過一個22的傳輸矩陣可以得到第1層波函數(shù)系數(shù),與第n層波函數(shù)系1B
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