1、半導體二極管及其應用電路一.半導體的基礎知識1.半導體導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。2.特性光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體純凈的具有單晶體結構的半導體。4.兩種載流子帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質半導體在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現的是半導體的摻雜特性。P型半導體:在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。N型半導體:在本征半導體中摻入微量的五價元

2、素（多子是電子，少子是空穴）。6.雜質半導體的特性載流子的濃度多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。體電阻通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。7.PN結PN結的單向導電性正偏導通，反偏截止。PN結的導通電壓硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。8.PN結的伏安特性二.半導體二極管單向導電性正向導通，反向截止。二極管伏安特性同ＰＮ結。正向導通壓降硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。死區(qū)電壓硅管0.5V，鍺

3、管0.1V。3.分析方法將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽V陰(正偏)，二極管導通(短路)若V陽V陰(反偏)，二極管截止(開路)。1）圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點Q。三極管及其基本放大電路一.三極管的結構、類型及特點1.類型分為NPN和PNP兩種。2.特點基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理1.三極管的三種基本組態(tài)2.