1、高亮度高亮度LED之封裝光通原理技術(shù)分析之封裝光通原理技術(shù)分析毫無疑問的，這個世界需要高亮度發(fā)光二極管（HighBrightnessLightEmittingDiode；HBLED），不僅是高亮度的白光LED（HBWLED），也包括高亮度的各色LED，且從現(xiàn)在起的未來更是積極努力與需要超高亮度的LED（UltraHighBrightnessLED，簡稱：UHDLED）。用LED背光取代手持裝置原有的EL背光、CCFL背光，不僅電路設(shè)計更

2、簡潔容易，且有較高的外力抗受性。用LED背光取代液晶電視原有的CCFL背光，不僅更環(huán)保而且顯示更逼真亮麗。用LED照明取代白光燈、鹵素?zé)舻日彰?，不僅更光亮省電，使用也更長效，且點亮反應(yīng)更快，用于煞車燈時能減少后車追撞率。所以，LED從過去只能用在電子裝置的狀態(tài)指示燈，進步到成為液晶顯示的背光，再擴展到電子照明及公眾顯示，如車用燈、交通號志燈、看板訊息跑馬燈、大型影視墻，甚至是投影機內(nèi)的照明等，其應(yīng)用仍在持續(xù)延伸。更重要的是，LED的亮度

3、效率就如同摩爾定律（MoesLaw）一樣，每24個月提升一倍，過去認為白光LED只能用來取代過于耗電的白熾燈、鹵素?zé)?，即發(fā)光效率在10～30lmW內(nèi)的層次，然而在白光LED突破60lmW甚至達100lmW后，就連熒光燈、高壓氣體放電燈等也開始感受到威脅。雖然LED持續(xù)增強亮度及發(fā)光效率，但除了最核心的熒光質(zhì)、混光等專利技術(shù)外，對封裝來說也將是愈來愈大的挑戰(zhàn)，且是雙重難題的挑戰(zhàn)，一方面封裝必須讓LED有最大的取光率、最高的光通量，使光折損

4、降至最低，同時還要注重光的發(fā)散角度、光均性、與導(dǎo)光板的搭配性。另一方面，封裝必須讓LED有最佳的散熱性，特別是HB（高亮度）幾乎意味著HP（HighPower，高功率、高用電），進出LED的電流值持續(xù)在增大，倘若不能良善散熱，則不僅會使LED的亮度減弱，還會縮短LED的使用壽命。所以，持續(xù)追求高亮度的LED，其使用的封裝技術(shù)若沒有對應(yīng)的強化提升，那么高亮度表現(xiàn)也會因此打折，因此本文將針對HBLED的封裝技術(shù)進行更多討論，包括光通方面的討

5、論，也包括熱導(dǎo)方面的討論。附注：大陸方面稱為「發(fā)光二極管」。附注：一般而言，HBLED多指8lmW（每瓦8流明）以上的發(fā)光效率。附注：一般而言，HPLED多指用電1W（瓦）以上，功耗瓦數(shù)以順向?qū)妷撼艘皂樝驅(qū)娏鳎╒fIf，f＝fward）求得?！雎憔樱骸噶孔泳⒍嗔孔泳固嵘腹廪D(zhuǎn)效率」雖然本文主要在談?wù)揕ED封裝對光通量的強化，但在此也不得不先說明更深層核心的裸晶部分，畢竟裸晶結(jié)構(gòu)的改善也能使光通量大幅提升。（Nichia）在

6、GaN的LED中，將p型電極（ptype）部分做成網(wǎng)紋狀（MeshPattern），以此來增加p極的透明度，減少光阻礙同時提升光透量。至于增加折反射上，在AlGaInP的結(jié)構(gòu)中增加一層DBR（DistributedBraggReflect）反射層，將另一邊的光源折向同一邊。GaN方面則將基板材料換成藍寶石（Sapphire，Al2O3，三氧化二鋁）來增加反射，同時將基板表面設(shè)計成凹凸紋狀，藉此增加光反射后的散射角度，進而使取光率提升?；?/p>

7、如德國歐司朗（OSRAM）使用SiC材料的基板，并將基板設(shè)計成斜面，也有助于增加反射，或加入銀質(zhì)、鋁質(zhì)的金屬鏡射層。此主題相關(guān)圖片如下：按此查看圖片詳細信息▲亮度提升的LED已經(jīng)跨足到公眾場合的號志應(yīng)用，此為國內(nèi)工地外圍的交通方向指示燈，即是用HBLED所組構(gòu)成。（郭長佑攝影）附注：AlGaInP（磷化鋁鎵銦）也稱為「四元發(fā)光材料」，即是以Al、Ga、In、P四種元素化合而成。附注：在一般的圖形結(jié)構(gòu)解說時，pn接面也稱為「發(fā)光層，emi