南昌大學(xué)半導(dǎo)體物理題庫_第1頁
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文檔簡介

1、半導(dǎo)體物理題庫半導(dǎo)體物理題庫計算題若兩塊Si樣品中的電子濃度分別為2.251010cm3和6.81016cm3，試分別求出其中的空穴的濃度和費米能級的相對位置，并判斷樣品的導(dǎo)電類型。假如再在其中都摻入濃度為2.251016cm3的受主雜質(zhì)，這兩塊樣品的導(dǎo)電類型又將怎樣？假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4m內(nèi)的濃度差為21016cm3，試計算空穴的擴散電流密度。某一維晶體的電子能帶為，其中E0=3eV，晶格常數(shù)a=5х1010m。求：能帶

2、寬度以及能帶底和能帶頂?shù)挠行з|(zhì)量。光均勻照射在6的n型Si樣品上，電子空穴對的產(chǎn)生率為41021cm3s1，非平衡載流子壽命為8s。試計算光照前后樣品的電導(dǎo)率。含受主濃度為8.0106cm3和施主濃度為7.251017cm3的Si材料，試求溫度為300K時此材料的載流子濃度和費米能級的相對位置。電阻率為10歐.厘米的n型鍺和金屬接觸形成的肖特基勢壘高度為0.3eV。求加上5V反向電壓時的空間電荷層厚度。有一塊施主濃度ND=1016cm3

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