1、1.兩導(dǎo)體間的電容與_A__有關(guān)A.導(dǎo)體間的位置B.導(dǎo)體上的電量C.導(dǎo)體間的電壓D.導(dǎo)體間的電場強度2.下面關(guān)于靜電場中的導(dǎo)體的描述不正確的是:____C__A.導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)。B.導(dǎo)體內(nèi)部電場處處為零。C.電荷分布在導(dǎo)體內(nèi)部。D.導(dǎo)體表面的電場垂直于導(dǎo)體表面3.在不同介質(zhì)的分界面上，電位是__B_。A.不連續(xù)的B.連續(xù)的C.不確定的D.等于零4.靜電場的源是AA.靜止的電荷B.電流C.時變的電荷D.磁荷5.靜電場的旋度等于__D_

2、。A.電荷密度B.電荷密度與介電常數(shù)之比C.電位D.零6.在理想導(dǎo)體表面上電場強度的切向分量DA.不連續(xù)的B.連續(xù)的C.不確定的D.等于零7.靜電場中的電場儲能密度為BA.B.C.D.8.自由空間中靜電場通過任一閉合曲面的總通量，等于BA.整個空間的總電荷量與自由空間介電常數(shù)之比B.該閉合曲面內(nèi)所包圍的總電荷量與自由空間介電常數(shù)之比。C.該閉合曲面內(nèi)所包圍的總電荷量與自由空間相對介電常數(shù)之比。D.該閉合曲面內(nèi)所包圍的總電荷量。9.虛位移

3、法求解靜電力的原理依據(jù)是GA.高斯定律B.庫侖定律C.能量守恒定律D.靜電場的邊界條件10.靜電場中的介質(zhì)產(chǎn)生極化現(xiàn)象，介質(zhì)內(nèi)電場與外加電場相比，有何變化？A.變大B.變小C.不變D.不確定11.恒定電場中，電流密度的散度在源外區(qū)域中等于B____A.電荷密度B.零C.電荷密度與介電常數(shù)之比D.電位12.恒定電場中的電流連續(xù)性方程反映了___A_A.電荷守恒定律B.歐姆定律C.基爾霍夫電壓定律D.焦耳定律13.恒定電場的源是___B_A

4、.靜止的電荷B.恒定電流C.時變的電荷D.時變電流14.根據(jù)恒定電場與無源區(qū)靜電場的比擬關(guān)系，導(dǎo)體系統(tǒng)的電導(dǎo)可直接由靜電場中導(dǎo)體系統(tǒng)的DA.電量B.電位差C.電感D.電容15.恒定電場中，流入或流出閉合面的總電流等于__C___A.閉合面包圍的總電荷量B.閉合面包圍的總電荷量與介電常數(shù)之比C.零D.總電荷量隨時間的變化率16.恒定電場是DA.有旋度B.時變場C.非保守場D.無旋場17.在恒定電場中，分界面兩邊電流密度矢量的法向方向是BA

5、.不連續(xù)的B.連續(xù)的C.不確定的D.等于零18.導(dǎo)電媒質(zhì)中的功率損耗反映了電路中的_D____A.和原導(dǎo)線的線電荷密度等值異號，位于導(dǎo)體圓柱外。B.和原導(dǎo)線的線電荷密度等值同號，位于導(dǎo)體圓柱內(nèi)。C.和原導(dǎo)線的線電荷密度等值同號，位于導(dǎo)體圓柱外。D.和原導(dǎo)線的線電荷密度等值異號，位于導(dǎo)體圓柱內(nèi)。34.無源區(qū)域的泊松方程即__B___A.電流連續(xù)性方程B.拉普拉斯方C.電場的旋度方程D.磁場的旋度方程35.在無限大接地導(dǎo)體平面（YOZ平面）

6、上方有一點電荷q，距離導(dǎo)體平面的高度為h。其靜像電荷__B__A.在無限大接地導(dǎo)體平面（YOZ平面）上方2h處，電量為q。B.在無限大接地導(dǎo)體平面（YOZ平面）下方h處，電量為q。C.在無限大接地導(dǎo)體平面（YOZ平面）上方h處，電量為2q。D.在無限大接地導(dǎo)體平面（YOZ平面）下方2h處，電量為q。36.一點電荷位于夾角為60度的兩個相交接地平面之間，其鏡像電荷有C___個A.2B.4C.5D.637.對接地導(dǎo)體球而言，球外點電荷的鏡像

7、電荷_C____A.位于導(dǎo)體球內(nèi)，和原電荷、球心不在同一條直線上。B.位于導(dǎo)體球外，和原電荷、球心位于同一條直線上。C.位于導(dǎo)體球內(nèi)，和原電荷、球心位于同一條直線上。D.位于導(dǎo)體球外，和原電荷、球心不在同一條直線上。38.離地面很近且與地面垂直放置的小天線，與自由空間放置的相同天線相比，其輻射功率應(yīng)該____A.增強B.減弱C.不變D.不確定39.電位唯一性定理的含義是A____A.即滿足拉普拉斯方程或泊松方程，又滿足邊界條件的電位是唯

8、一的。B.滿足邊界條件的電位是唯一的。C.滿足拉普拉斯方程的電位是唯一的。D.滿足泊松方程的電位是唯一的。40.在無限大介質(zhì)平面上方有一點電荷，若求介質(zhì)平面下方區(qū)域的場，其鏡像電荷__A___A.在介質(zhì)平面上方h處。B.在介質(zhì)平面上方2h處。C.在介質(zhì)平面下方2h處。D.在介質(zhì)平面下方h處。41.關(guān)于麥克斯韋方程的描述錯誤的一項是：DA.適合任何介質(zhì)B.靜態(tài)場方程是麥克斯韋方程的特例C.麥克斯韋方程中的安培環(huán)路定律與靜態(tài)場中的安培環(huán)路定