1、碩士研究生入學考試大綱加試科目名稱：微電子器件工藝一、參考書目《微電子制造科學原理與工程技術》電子工業(yè)出版社2003.1StephenA.Campbell二、考試要求：系統(tǒng)地掌握外延、擴散、離子注入、氧化、光刻、制版等微電子工藝原理，并能完成工藝設計。三、考試內容：1）加工環(huán)境與襯底制備a:微電子器件的加工環(huán)境b:IC發(fā)展與硅材料的關系c:襯底制備2）外延a:外延工藝b:外延層質量的控制3）氧化技術a:二氧化硅在微電子器件制造中的用途b

2、:二氧化硅的特性c:二氧化硅的制備方法3)擴散技術a:摻雜在微電子器件中的應用b:摻雜方式、摻雜原理、液態(tài)源擴散、固態(tài)源擴散和擴散層質量分析與檢驗c:離子注入4）光刻技術a:光刻膠的特性和配制b:光刻工藝c:光刻質量分析5)制版技術a:掩模版圖形的形成b:電子束制版6)表面圖形的形成a:濕法腐蝕、干法腐蝕、砷化鎵腐蝕、7)表面鈍化a:鈍化方法8)隔離技術a:PN結隔離技術b:二氧化硅介質隔離9)電極制備及封裝a:歐姆接觸b:蒸發(fā)與濺射c

3、:平坦化技術10)CMOS集成電路工藝設計a:CMOS工藝設計b:多晶硅柵制造工藝c:CMOS工藝設計規(guī)則d:n阱CMOS反相器的電路與管芯制造工藝過程11)超純水的制備a:超純水的制備方法b:微電子器件使用的制水系統(tǒng)碩士研究生入學考試大綱加試科目名稱：微電子器件工藝一、參考書目《微電子制造科學原理與工程技術》電子工業(yè)出版社2003.1StephenA.Campbell二、考試要求：系統(tǒng)地掌握外延、擴散、離子注入、氧化、光刻、制版等微電

4、子工藝原理，并能完成工藝設計。三、考試內容：1）加工環(huán)境與襯底制備a:微電子器件的加工環(huán)境b:IC發(fā)展與硅材料的關系c:襯底制備2）外延a:外延工藝b:外延層質量的控制3）氧化技術a:二氧化硅在微電子器件制造中的用途b:二氧化硅的特性c:二氧化硅的制備方法3)擴散技術a:摻雜在微電子器件中的應用b:摻雜方式、摻雜原理、液態(tài)源擴散、固態(tài)源擴散和擴散層質量分析與檢驗c:離子注入4）光刻技術a:光刻膠的特性和配制b:光刻工藝c:光刻質量分析5