1、《半導(dǎo)體物理》考試大綱考試科目名稱：半導(dǎo)體物理Ⅱ半導(dǎo)體物理Ⅱ考試科目代碼：[829]一、考試要求：要求考生系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導(dǎo)體的物理性能。要求考生對半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和能帶論、載流子統(tǒng)計分布、載流子輸運過程、pn結(jié)理論、金屬半導(dǎo)體接觸理論、半導(dǎo)體光電效應(yīng)等基本原理有很好的掌握，并能熟練運用分析半導(dǎo)體的光電特性。二、考試內(nèi)容：1）半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論a:半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)及電子狀態(tài)和能帶b:半導(dǎo)

2、體中電子的運動c:本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)d:硅和鍺及常用化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)2)雜質(zhì)半導(dǎo)體理論a:硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級b:常用化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級c:缺陷、位錯能級3)載流子的統(tǒng)計分布a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計分布b:本征與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度c:一般情況下載流子統(tǒng)計分布d:簡并半導(dǎo)體4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性a:載流子的漂移運動與散射機構(gòu)b:遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系c:多能谷散射、耿氏效應(yīng)5)非平衡載流子a:非平衡載流子的

3、注入、復(fù)合與壽命b:準(zhǔn)費米能級c:復(fù)合理論、陷阱效應(yīng)d:載流子的擴散、電流密度方程e:連續(xù)性方程6)pn結(jié)理論a:pn結(jié)及其能帶圖b:pn結(jié)電流電壓特性c:pn結(jié)電容、pn結(jié)隧道效應(yīng)7)金屬半導(dǎo)體接觸理論a:金半接觸、能帶及整流理論b:歐姆接觸8)半導(dǎo)體光電效應(yīng)a:半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)（光吸收和光發(fā)射）b:半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)c:半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)d:半導(dǎo)體發(fā)光二極管、光電二極管三、試卷結(jié)構(gòu)：a)考試時間：180分鐘，滿分：150分b)題型

4、結(jié)構(gòu)a:概念及簡答題（60分）b:論述題（90分）c）內(nèi)容結(jié)構(gòu)a:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論及雜質(zhì)半導(dǎo)體理論（30分）b:載流子的統(tǒng)計分布（20分）c:半導(dǎo)體的導(dǎo)電性（20分）d:非平衡載流子（20分）e:pn結(jié)理論和金屬半導(dǎo)體接觸理論(30分)f:半導(dǎo)體光電效應(yīng)(30分)四、參考書目1.劉恩科，朱秉升，羅晉升編著.半導(dǎo)體物理學(xué).電子工業(yè)出版社2011.03.2.[美]施敏（S.M.Sze），半導(dǎo)體器件物理，電子工業(yè)出版社，1987.12.