1、微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)院——1陳卉題目王嘉達(dá)答案答案為個人整理，如有錯誤請答案為個人整理，如有錯誤請仔細(xì)仔細(xì)甄別！厚德博學(xué)求是創(chuàng)新所有解答為個人整理所有解答為個人整理，如有錯誤請仔細(xì)甄別如有錯誤請仔細(xì)甄別！13級期末復(fù)習(xí)期末復(fù)習(xí)題庫題庫典例典例解答解答電子科技大學(xué)命題陳卉轉(zhuǎn)載王嘉達(dá)整理【習(xí)題壓得準(zhǔn)習(xí)題壓得準(zhǔn)五殺跑不了五殺跑不了】微電子器件（陳星弼第三版）電子工業(yè)出版社◎前言前言◎根據(jù)統(tǒng)計根據(jù)統(tǒng)計，課堂測驗課堂測驗、

2、課后作業(yè)中的題目提綱中無相似題型課后作業(yè)中的題目提綱中無相似題型，請復(fù)習(xí)提綱的同請復(fù)習(xí)提綱的同時在做一次作業(yè)以及課堂測驗時在做一次作業(yè)以及課堂測驗。作業(yè)答案作業(yè)答案、課堂課堂作業(yè)答案平時隨課堂進(jìn)度上傳群共作業(yè)答案平時隨課堂進(jìn)度上傳群共享，請自行查閱請自行查閱。本答案為個人整理本答案為個人整理，如有不妥之處望批評指正如有不妥之處望批評指正。計算題部分計算題部分，實在無能為力在無能為力，后期會繼續(xù)上傳計算題集錦后期會繼續(xù)上傳計算題集錦，敬請

3、期待敬請期待。另，由于本人微電子班，無光源班群，請有心人士轉(zhuǎn)載至光源班群，共同通過另，由于本人微電子班，無光源班群，請有心人士轉(zhuǎn)載至光源班群，共同通過期末考試！期末考試！微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)院——3陳卉題目王嘉達(dá)答案答案為個人整理，如有錯誤請答案為個人整理，如有錯誤請仔細(xì)仔細(xì)甄別！厚德博學(xué)求是創(chuàng)新1212、當(dāng)對、當(dāng)對PNPN結(jié)外加正向電壓時，由結(jié)外加正向電壓時，由N區(qū)注入?yún)^(qū)注入P區(qū)的非平衡電子一邊向前擴(kuò)散，一邊（

4、區(qū)的非平衡電子一邊向前擴(kuò)散，一邊（復(fù)合）。每經(jīng)過一個擴(kuò)散長度的距離，非平衡電子濃度降到原來的（）。每經(jīng)過一個擴(kuò)散長度的距離，非平衡電子濃度降到原來的（）。）。1313、PNPN結(jié)擴(kuò)散電流的表達(dá)式為（結(jié)擴(kuò)散電流的表達(dá)式為（]1)[exp(0????KTqvdndpdIJJJ）。這個表達(dá)式在正向電）。這個表達(dá)式在正向電壓下可簡化為（壓下可簡化為（)exp(0KTqvdJJ?），在反向電壓下可），在反向電壓下可簡化為（簡化為（JJd??）。）

5、。1414、在、在PNPN結(jié)的正向電流中，當(dāng)電壓較低時，以（結(jié)的正向電流中，當(dāng)電壓較低時，以（勢壘區(qū)復(fù)合勢壘區(qū)復(fù)合）電流為主；當(dāng)電壓較高）電流為主；當(dāng)電壓較高時，以（時，以（擴(kuò)散擴(kuò)散）電流為主。）電流為主。1515、薄基區(qū)二極管是指、薄基區(qū)二極管是指PNPN結(jié)的某一個或兩個中性區(qū)的長度小于（結(jié)的某一個或兩個中性區(qū)的長度小于（該區(qū)的少子擴(kuò)散長度該區(qū)的少子擴(kuò)散長度）。）。在薄基區(qū)二極管中，少子濃度的分布近似為（在薄基區(qū)二極管中，少子濃度的分

6、布近似為（線性分布線性分布）。）。1616、小注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（、小注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（非平衡少子非平衡少子）濃度遠(yuǎn)小于該區(qū)的（）濃度遠(yuǎn)小于該區(qū)的（平衡多平衡多子）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（非平衡非平衡）多子濃度可以忽略。）多子濃度可以忽略。1717、大注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（、大注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（非平非平衡少子衡少子）濃度遠(yuǎn)大于該區(qū)的（）濃度遠(yuǎn)大于

7、該區(qū)的（平衡多平衡多子）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（平衡平衡）多子濃度可以忽略。）多子濃度可以忽略。1818、勢壘電容反映的是、勢壘電容反映的是PNPN結(jié)的（結(jié)的（微分微分）電荷隨外加電壓的變化率。）電荷隨外加電壓的變化率。PNPN結(jié)的摻雜濃度結(jié)的摻雜濃度越高，則勢壘電容就越（越高，則勢壘電容就越（大）；外加反向電壓越高，則勢壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢壘電容就越（?。?。）。1919、擴(kuò)散

8、電容反映的是、擴(kuò)散電容反映的是PNPN結(jié)的（結(jié)的（非平衡載流子非平衡載流子）電荷隨外加電壓的變化率。正向）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴(kuò)散電容就越（電流越大，則擴(kuò)散電容就越（大）；少子壽命越長，則擴(kuò)散電容就越（）；少子壽命越長，則擴(kuò)散電容就越（大）。）?！綪51P51】2020、在、在PNPN結(jié)開關(guān)管中，在外加電壓從正向變?yōu)榉聪蚝蟮囊欢螘r間內(nèi)，會出現(xiàn)一個較大結(jié)開關(guān)管中，在外加電壓從正向變?yōu)榉聪蚝蟮囊欢螘r間內(nèi)，會出現(xiàn)一個較大的

9、反向電流。引起這個電流的原因是的反向電流。引起這個電流的原因是存儲在（存儲在（N）區(qū)中的（）區(qū)中的（非平衡載流子非平衡載流子）電荷。）電荷。這個電荷的消失途徑有兩條，即（這個電荷的消失途徑有兩條，即（反向電流的抽取反向電流的抽?。┖停ǎ┖停ㄉ僮幼陨淼膹?fù)合少子自身的復(fù)合）。）。2121、從器件本身的角度，提高開關(guān)管的開關(guān)速度的主要措施是（、從器件本身的角度，提高開關(guān)管的開關(guān)速度的主要措施是（降低少子壽命降低少子壽命）和（）和（加快反向復(fù)合