1、U D C ：1 ．0 6 p m 高功率半導(dǎo)體激光器1 ．0 6 t t mH i g h P o w e r S e m i c o n d u c t o r L a s e r學(xué)位授予單位及代碼：蓬壹堡王太堂 ≤! Q ! 墨魚(yú)2學(xué)科專業(yè)名稱及代碼： 迸堂 ( Q Z Q 2 Q 2 2研究方向：邀迸物堡皇新型邀迸墨 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：亟 ±．指導(dǎo)教師： 奎掛 研 究 生： 隆融論文起止時(shí)間： 2 0 1 0 ．1 1 —

2、2 0 幽摘 要大功率半導(dǎo)體激光器是目前應(yīng)用廣泛的激光器類型，而其中激射波長(zhǎng)為1 ．0 6 9 m 的半導(dǎo)體激光器在軍事方面起著重要的作用，例如激光制導(dǎo)、激光跟蹤、激光測(cè)距、激光雷達(dá)、激光瞄準(zhǔn)以及激光警告等。本文采用寬波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)來(lái)增大激光器輸出功率，同時(shí)減小了光學(xué)災(zāi)變損傷閾值。并且通過(guò)模擬對(duì)激光器結(jié)構(gòu)中各層的厚度、組分進(jìn)行優(yōu)化，研究其限制因子、折射率、輸出功率、閾值電流等重要參數(shù)，進(jìn)而得到完整的1 ．0 6 J ．t m 單量子阱半導(dǎo)體

3、激光激器結(jié)構(gòu)，即量子阱厚度為0 ．0 0 7 9 m ，波導(dǎo)層厚度分別為l p , m ，其中A l 組分為O ．1 5 ，上限制層厚度為1 ．8 9 m ，下限制層厚度為3 ．2 p m 并且其中A l 的組分均為0 ．4 。最終對(duì)論文中設(shè)計(jì)的激光器結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化工藝，制備出腔長(zhǎng)l m m ，條寬1 0 0 p m 的激光器晶體，并對(duì)其進(jìn)行測(cè)量，得到激光器的工作電流大約在3 ．9 A 時(shí)，輸出功率平均可以達(dá)到2 ．8 5 W ，斜效率約