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![電解法制備ClO2及氧化煙氣NO工藝研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/6/23/69a725a4-0340-4e39-9e11-36fb129fed2a/69a725a4-0340-4e39-9e11-36fb129fed2a1.gif)
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文檔簡介
1、本文研究了催化電解氯酸鈉制備氣相ClO2,并將其用于氧化煙氣中NO的工藝過程。在催化電解制備二氧化氯研究中,設(shè)計并制備了四種以Pt、Pd、Ru貴金屬為主要活性成分的鈦電極,在有隔膜和無隔膜兩種形式電解槽中考察了電極特性、電流密度、溫度等因素等對二氧化氯產(chǎn)率和純度的影響;在ClO2氣相氧化NO的研究中,探討了氣相氧化反應(yīng)機理,并對溫度、含氧量、煙氣組分等條件對NO氧化率的影響進行了分析研究。
在電解制備二氧化氯過程中,ClO3-
2、→ClO2的還原速率并非完全電化學控制的過程,電極電化學反應(yīng)還原ClO3-生成ClO2過程和電極催化ClO3-自還原過程均對ClO2的總產(chǎn)率有所貢獻。在無隔膜電解槽中,電極催化作用貢獻較大,而在隔膜電解槽中電極還原反應(yīng)貢獻較大。由于反應(yīng)ClO2+e→ClO2-是ClO2產(chǎn)生的重要步驟,因此保持電解液中溶解一定的ClO2有利于反應(yīng)的進行。在無隔膜電解槽中,Ti/Ru·Pt電極上ClO2產(chǎn)率較高,硫酸和氯酸鈉濃度增加有利于二氧化氯的產(chǎn)率提高
3、,而電流密度的影響較小。在有隔膜電解槽中,表現(xiàn)較好的是Ti/Ru·Pt·Pd電極,電流密度對ClO2產(chǎn)率的影響較大。隔膜對傳質(zhì)有較大影響,有隔膜電解槽中ClO2產(chǎn)率較低,但純度較高。
對ClO2氣相氧化NO和SO2的特性和機理進行了研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),在干氣中ClO2能夠迅速氧化NO,但幾乎不氧化SO2。但氣相中的濕含量影響SO2氧化反應(yīng)歷程。濕含量增加使ClO2優(yōu)先氧化SO2。反應(yīng)溫度增加不利于氧化反應(yīng),其中對單獨氧化SO2和同
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