1、氧化物-金屬-氧化物(Oxide-Metal-Oxide，OMO)透明導電薄膜結(jié)構與單層透明導電氧化物(TCO)薄膜相比，具有很多優(yōu)點:降低薄膜整體厚度，增加柔韌性，利于工業(yè)化生產(chǎn)，薄膜穩(wěn)定性好等。但由于金屬層的加入，薄膜的導電性和透光性之間存在著嚴重的矛盾，通過摻雜對中間層金屬進行改性，以改變金屬薄膜在氧化物上的生長方式，獲得超薄的連續(xù)金屬膜層，可以大幅提高薄膜的光電性能。本文采用室溫磁控濺射的方法，在柔性基底上沉積OMO結(jié)構薄膜電極

2、，利用反應磁控濺射的方法沉積中間金屬Al層，研究沉積時間和氧氣流量對中間金屬層Al在不同氧化物表面生長時的表面形貌、光學性能以及電學性能的影響，并分析了薄膜光電性能與薄膜微觀結(jié)構、表面形貌等的內(nèi)在聯(lián)系，探索了薄膜的最佳制備條件。
　　本文制備的ITO-Al-ITO結(jié)構薄膜電極，底層和項層ITO厚度僅20 nm，薄膜總厚度在50-70 nm之間，薄膜柔韌性有極大改善，通過FESEM、AFM等測試方法研究了Al薄膜在ITO表面的生長過

3、程發(fā)現(xiàn)，Al在ITO表面以三維顆粒狀方式生長。對中間層進行微量的氧摻雜后，Al薄膜由三維顆粒狀生長變?yōu)槎S層狀生長，當氧氣流量為0.4-0.8 sccm時薄膜具有最佳表面形貌，氧摻雜后ITO-AlOx-ITO薄膜透過率在短波長(350-550 nm)范圍上升而長波長(550-1000nm)范圍下降，全波長平均透過率上升。電學性能的研究結(jié)果表明，隨著中間層沉積時間的增加，薄膜的各項電學性能得到優(yōu)化，氧摻雜后各項電學性能隨著摻雜量的增加而變

4、差。
　　用ZnO替代ITO，制備出不含In的ZnO/Al/ZnO透明導電薄膜電極，Al在ZnO表面生長時，晶粒更為細小、致密而均勻，中間層沉積時間30 s時，薄膜最大透過率51％，400-1000 nm平均透過率37％，方阻為20.05Ωsq-1，載流子濃度3.55×1017 cm-3，遷移率為3.82 cm2V-1s-1。進行氧摻雜后，ZnO/AlOx/ZnO薄膜透過率在長波長范圍上升而在短波長范圍下降，平均透過率上升。當氧氣