淺刻蝕弧形SOI脊形波導側(cè)向泄漏分析與器件設(shè)計.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩47頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、⑧漸己工工誓女孽碩士學位論文論文題目:遺刻蝕亟形墨Q!鲞形逮昱型自泄遭僉塹與器住設(shè)讓指導教師堡塑浙江工業(yè)大學碩士學位論文淺刻蝕弧形S01脊形波導側(cè)向泄漏分析與器件設(shè)計摘要集成光學的發(fā)展需要底層器件的基礎(chǔ)研究,而絕緣體上晶體硅(S01)脊形波導及相應(yīng)器件在集成光學中應(yīng)用廣泛。本文在調(diào)研相關(guān)文獻的基礎(chǔ)上提出了一種弧形截面淺刻蝕S01脊形波導,并利用該波導設(shè)計了一種定向耦合器。該弧形截面淺刻蝕SOI脊形波導及器件的理論與仿真會為波導及器件制作

2、提供有益指導。為了進一步探索用SOI制作的淺刻蝕脊形波導側(cè)向泄漏損耗的規(guī)律,本文提出并研究了一種弧形截面淺刻蝕SOI脊形波導。用光的干涉理論建立了這種波導的周期性損耗的模型并推導出損耗周期公式,然后通過完美匹配層邊界條件下的頻域有限元法仿真觀察到該特殊波導類橫磁基(rrMo—like)模的側(cè)向泄漏損耗周期的變化與最大損耗點的偏移現(xiàn)象。周期大小的仿真結(jié)果與理論計算符合度很高,其平均相對誤差只有O56%。此外,發(fā)現(xiàn)該類波導在某些溝槽寬度下可

3、以通過改變截面來實現(xiàn)對類TMo模損耗從最大到最小的調(diào)節(jié),而在另外一些溝槽寬度時,類TM。損耗對截面變化不敏感,這些發(fā)現(xiàn)可以簡化波導加工并提高制作容差。利用該淺刻蝕弧形SOI脊形波導的損耗特性,設(shè)計了一種定向耦合器。在完美匹配層與散射邊界相配合的邊界條件下,使用有限元法的電磁波波束包絡(luò)接口來對三維波導進行仿真,設(shè)計出了一種特殊波導間距的類TMo模低損耗定向耦合器,該波導間距大小與損耗理論預測值接近,間接說明了弧形淺刻蝕SOI脊形波導側(cè)向泄

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論