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![基于CMOS工藝的高精度基準(zhǔn)源的研究與設(shè)計(jì).pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/6/23/e2913e10-1c21-4507-b2c3-add0782a35ff/e2913e10-1c21-4507-b2c3-add0782a35ff1.gif)
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文檔簡介
1、基準(zhǔn)參考源作為模擬集成電路的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的基本模塊被廣泛應(yīng)用于多種電路和系統(tǒng)中,為整個(gè)系統(tǒng)提供精確的電壓或由其轉(zhuǎn)換的高精度電流基準(zhǔn)。基準(zhǔn)源在直流和交流條件下的穩(wěn)定性對于整個(gè)系統(tǒng)的性能起重要的作用,其穩(wěn)定性包括對系統(tǒng)的環(huán)境(電源電壓,溫度,輸出負(fù)載等)和工藝不敏感。若基準(zhǔn)參考源的穩(wěn)定性不滿足要求,直接限制整體電路或系統(tǒng)的性能,甚至就不能正確地、有效地完成預(yù)定功能。因此,詳細(xì)的分析基準(zhǔn)源的基本原理與重要參數(shù),從而設(shè)計(jì)出滿足要求的基準(zhǔn)源有著重要的
2、意義。
本文首先詳細(xì)的分析基準(zhǔn)源的基本原理與重要參數(shù),并介紹了常見的高階溫度補(bǔ)償電路。第三章分析并設(shè)計(jì)了常規(guī)一階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路和新型一階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路進(jìn)行對比,然后介紹了voltage regulator并應(yīng)用于一階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路,并設(shè)計(jì)了核心電路、運(yùn)算放大器和啟動(dòng)電路模塊,最后給出了仿真結(jié)果。
第四章分析IPTAT2電流高階溫度補(bǔ)償與亞閾值電流高階溫度補(bǔ)償理論,在此基礎(chǔ)上,分別應(yīng)用于一階溫度補(bǔ)償帶
3、隙基準(zhǔn)中,從而提出了低溫度系數(shù)、高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電壓源。本文設(shè)計(jì)使用40nm標(biāo)準(zhǔn) CMOS工藝,并使用Cadence軟件完成電路與版圖設(shè)計(jì)。正常工作電壓范圍為2.1V~3.5V,典型工作電壓為2.5V。在典型電壓下,在80kHz時(shí),電源抑制比高于80dB;在高于10MHz時(shí),不低于30dB。當(dāng)溫度范圍從-20℃到120℃變化時(shí),IPTAT2電流溫度補(bǔ)償在TT、SS、FF工藝角下的溫度系數(shù)分別為3.06ppm/℃、4.78ppm/℃
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