1、MoS2納米材料在納米科技領(lǐng)域已被廣泛關(guān)注，這正是由于其在納米器件技術(shù)應(yīng)用上具有巨大的潛力。因此就需要解決兩個主要問題：一是如何合成納米材料，二是在應(yīng)用上給予納米結(jié)構(gòu)的期望。因此我將討論典型的合成方法和一些有希望的一維納米材料的應(yīng)用，對這一挑戰(zhàn)，在納米材料研究領(lǐng)域發(fā)表一些個人見解，以及個人對1D二硫化鉬的研究。最后，在目前的納米材料的基礎(chǔ)上，我給一些在未來的研究方向上的個人觀點(diǎn)。具體的研究工作如下：
　　在SiO2/Si基板上我們

2、能觀察到，沿著氣體流動方向上，通過化學(xué)氣相沉積（CVD）法生長的二硫化鉬納米棒的常規(guī)形態(tài)演變。它可以歸因于沿氣體流動方向上的氣態(tài)氧化鉬的濃度梯度影響著二硫化鉬晶體的平均生長速率。二硫化鉬晶體的沉積隨著氧化鉬粉末的移近，所經(jīng)歷的常規(guī)形態(tài)變換和尺寸變化。它鋪平了可控生長參數(shù)CVD法的發(fā)展道路，為調(diào)諧MoS2納米棒的形態(tài)演化開辟了新的道路。
　　我們描述了使用化學(xué)氣相沉積（CVD）單一步驟路線的方法合成二硫化鉬納米線。通過調(diào)整CVD生長