1、晶體管共射極放大電路設(shè)計實驗報告 晶體管共射極放大電路設(shè)計實驗報告俞浩亮 俞浩亮 12990238一、實驗?zāi)康?一、實驗?zāi)康氖煜げ捎妹姘寤蚨喙δ馨宕罱娐返募夹g(shù)；掌握晶體管共射極放大電路的基本設(shè)計方法；進一步熟悉常用電子儀器設(shè)備的使用;完成晶體管共射極放大電路的調(diào)試與參數(shù)測試分析。二、預(yù)習內(nèi)容 二、預(yù)習內(nèi)容（1）預(yù)習晶體管共射極放大電路的基本工作原理；（2）預(yù)習晶體管共射極放大電路的設(shè)計、調(diào)試與參數(shù)測試方法；（3）采用 Multisi

2、m 仿真軟件對晶體管共射極放大電路進行初步設(shè)計仿真。三、實驗原理 三、實驗原理下圖為阻容耦合晶體管共射極放大電路，它采用分壓式電流負反饋偏置電路。要滿足性能指標的要求，就必須考慮靜態(tài)工作點得設(shè)置。放大器的靜態(tài)工作點 Q 主要由 Rc，Re，RB1，RB2以及電源電壓決定。確定靜態(tài)工作點的基本原則是要保證輸出電壓既不產(chǎn)生飽和失真也不產(chǎn)生截止失真。如右圖所示，根據(jù)三極管輸出特性曲線和對動靜態(tài)負載線的分析，輸出電壓不產(chǎn)生失真的條件是：設(shè)計小信

3、號放大器時，一般取 ICQ = (0.5~2)mA, VEQ = (0.2~0.5)VCCCQEQCQBE BQE IVIV V R ? ? ?β IVIV RCQBQ1BQB2 ) 10 ~ 5 ( ? ?B2BQBQ CCB1 R VV V R ? ?RC 由 RO 或 AV 確定：RC ≈ RO 或 ?be VL C L // r A R R R ? ? ?上限頻率 fH 主要受晶體管結(jié)電容及電路分布電容的限制，下限頻率 fL

4、 主要受耦合電容CB、CC 及射極旁路電容 CE 的影響如果放大器下限頻率 fL 已知，可按下列表達式估算電容 CB、CC 和 CE：) ( π 21 ) 10 ~ 3 ( Cbe s LBr R f ??) ( π 21 ) 10 ~ 3 ( CL C LC R R f ? ?) 1 // ( π 21 ) 3 ~ 1 (be sE L ? ?? ? r R R fCE通常取 CB = CC，用上面兩式算出電容值，取較大的作為 CB（

5、或 CC） 。（2）電路參數(shù)的確定：選擇晶體管因放大器上限頻率 fH>100 kHz，要求較高，故選用高頻小功率管 3DG6，其特性參數(shù) ICM=20mA，V(BR)CEO≥20V，fT ≥ 150MHz 通常要求 ß 的值大于 AV 的值，故選 ß=60設(shè)置 Q 點并計算元件參數(shù)依據(jù)指標要求、靜態(tài)工作點范圍、經(jīng)驗值進行計算要求 Ri>1kΩ，而mA } {mV 26 300mA CQbe ? ? ?