1、電力電子技術(shù)是以電力電子器件為基礎(chǔ)，電力電子器件決定電力電子裝置的發(fā)展及其應(yīng)用水平。在所有的功率半導(dǎo)體器件中，IGBT無(wú)疑是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域中最令人注目及發(fā)展最快的一種。而建立適合高壓大容量IGBT器件和模塊的測(cè)試平臺(tái)，探索一整套的測(cè)試方法和檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，不僅對(duì)評(píng)估器件、模塊自身的性能意義重大，對(duì)器件和模塊的應(yīng)用也是必不可缺的環(huán)節(jié)。然而，功率器件測(cè)試平臺(tái)這一領(lǐng)域依然被國(guó)外廠商所壟斷，國(guó)內(nèi)尚沒有具有廣泛行業(yè)認(rèn)可度的產(chǎn)品出現(xiàn)。因此，探索并建立

2、一套支撐相關(guān)課題研究的高壓大容量功率半導(dǎo)體器件公共測(cè)試平臺(tái)，突破國(guó)外在該領(lǐng)域的壟斷和制約，對(duì)我國(guó)大功率電力電子器件的發(fā)展十分必要。
　　IGBT相關(guān)參數(shù)可分為靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)兩大類，其中靜態(tài)參數(shù)測(cè)試包括門極參數(shù)VGE(th)（開啟電壓）、VGES（門極擊穿電壓）、I∞（門極漏電流）、功率端參數(shù)VCES（集電極發(fā)射極間耐壓）、ICES（集電極發(fā)射極間漏電流），寄生電容:Cies輸入電容、C∞s轉(zhuǎn)移電容、Co骼輸出電容，VCE(sa

3、t)飽和導(dǎo)通壓降，以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測(cè)試。動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試包括td(on)（導(dǎo)通延遲時(shí)間）、tr（上升時(shí)間）、o∞（關(guān)斷延遲時(shí)間）、tf（下降時(shí)間）、Eon（開通損耗）、Eoff（關(guān)斷損耗）、Id反向恢復(fù)電流）、H反向恢復(fù)時(shí)間）以及Err（反向恢復(fù)能量）等動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試。
　　本文首先介紹了IGBT動(dòng)靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試方法，并針對(duì)靜態(tài)輸出曲線的測(cè)試提出了一種簡(jiǎn)單、方便的測(cè)試方案。在此基礎(chǔ)上，本文對(duì)動(dòng)靜態(tài)參數(shù)的自動(dòng)測(cè)試平臺(tái)的詳細(xì)設(shè)