1、基于溶液法制備的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)（Quantum Dot，QD）具有獨(dú)特的性能:相比于有機(jī)發(fā)光材料，其具有耐水氧穩(wěn)定性好、發(fā)光色純度高、發(fā)光效率高、發(fā)光光譜隨量子點(diǎn)尺寸可調(diào)控等特征，成為近年來(lái)平板顯示行業(yè)研究的熱點(diǎn)。以量子點(diǎn)作發(fā)光層的量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light-Emitting Diodes，QD-LED)相比于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diodes，OLED)具有更低的功

2、耗、更長(zhǎng)的壽命、更低廉的制造成本，很有希望成為下一代平板顯示技術(shù)。但是由于當(dāng)前的研究尚處于初級(jí)階段，很多性能問(wèn)題亟需解決，如:器件發(fā)光效率低、亮度不理想、壽命短等，本文主要通過(guò)以下方法提高量子點(diǎn)發(fā)光器件的性能。具體研究?jī)?nèi)容如下:
　　(1)在器件中引入無(wú)機(jī)半導(dǎo)體傳輸材料納米ZnMgO和納米ZnO，以納米ZnMgO和納米ZnO作電子傳輸層，全溶液法制備了量子點(diǎn)發(fā)光器件(a:ITO/PEDOT∶PSS/PVK/QD/ZnO/Al,b:

3、ITO/PEDOT∶PSS/PVK/QD/ZnMgO/Al)。通過(guò)測(cè)試兩組器件的電流-電壓-亮度-發(fā)光光譜分析了納米ZnMgO和納米ZnO作電子傳輸層對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光器件影響。結(jié)果表明:納米ZnMgO相對(duì)于納米ZnO電子遷移率更高，且與量子點(diǎn)能帶之間的注入勢(shì)壘更低，這可以使電子更高效的注入，因此納米ZnMgO器件的性能要優(yōu)于納米ZnO器件的性能。納米ZnMgO器件亮度高達(dá)1722cd/m2，啟亮電壓為1.9V，電流效率為4.36cd/A，器

4、件的電壓承受能力更強(qiáng)，9V時(shí)器件才發(fā)生擊穿猝滅。實(shí)驗(yàn)中創(chuàng)新性的將納米ZnMgO應(yīng)用在QLED器件上，對(duì)優(yōu)化器件性能有重要意義。
　　(2)量子點(diǎn)發(fā)光二極管中發(fā)光層制備的工藝條件會(huì)影響器件的性能和穩(wěn)定性，實(shí)驗(yàn)中對(duì)其進(jìn)行探索和優(yōu)化。首先系統(tǒng)分析了量子點(diǎn)的膜層厚度對(duì)量子點(diǎn)薄膜形貌及器件光電性能的影響，結(jié)果表明:量子點(diǎn)層厚度在16nm和12nm時(shí)，量子點(diǎn)的團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重;隨著量子點(diǎn)層厚度的降低，薄膜表面粗糙度也隨著降低，同時(shí)量子點(diǎn)的團(tuán)聚現(xiàn)象

5、減弱;當(dāng)量子點(diǎn)層厚度與量子點(diǎn)粒徑(約為10nm)相當(dāng)時(shí)，量子點(diǎn)呈單層排列且團(tuán)聚現(xiàn)象消失;當(dāng)量子點(diǎn)厚度低于10nm時(shí)，薄膜出現(xiàn)孔洞缺陷。器件的光電性能測(cè)試結(jié)果顯示:10nm厚度的發(fā)光層器件性能最優(yōu)，其具有最低的啟亮電壓2.1V，最高的亮度1782cd/m2。其次分析了量子點(diǎn)薄膜制備過(guò)程中退火溫度對(duì)量子點(diǎn)及器件性能的影響。熱重分析結(jié)果表明:量子點(diǎn)在由溫度120℃升高到160℃時(shí)，引起量子點(diǎn)表面絕緣配體的脫落，量子點(diǎn)重量不斷減小;退火溫度為1

6、60℃時(shí)，此時(shí)器件性能最高:亮度為1622cd/m2，啟亮電壓僅為2.0V;在溫度超過(guò)160℃時(shí)，量子點(diǎn)重量迅速降低，由于配體的大量脫落，降低了其量子產(chǎn)率，因此器件的性能降低。
　　(3)實(shí)驗(yàn)中使用的基礎(chǔ)器件結(jié)構(gòu)（ITO/PEDOT∶PSS/PVK/QD/ZnMgO/Al），經(jīng)測(cè)試是電子富余型器件。通過(guò)提高器件的空穴注入能力來(lái)提升器件性能，使用甲醇溶液對(duì)PEDOT∶PSS薄膜進(jìn)行處理，原子力顯微鏡測(cè)試結(jié)果表明:經(jīng)甲醇處理的PEDO