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![鎂合金表面聚吡咯-環(huán)氧復(fù)合涂層的制備及其性能研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/6/23/80318311-400b-46e8-af0e-3fa2a70e8c47/80318311-400b-46e8-af0e-3fa2a70e8c471.gif)
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文檔簡介
1、鎂合金廣泛應(yīng)用于諸多領(lǐng)域,但是其耐蝕性差增加了使用過程中的安全隱患,減短了鎂合金的使用壽命。鎂合金表面涂覆有機(jī)涂層是常用的改性技術(shù)之一,但有機(jī)涂層與鎂合金基體的結(jié)合力較差,本課題通過引進(jìn)中間層——導(dǎo)電聚吡咯來改善鎂合金與環(huán)氧樹脂有機(jī)涂層間結(jié)合力。首先在鎂合金表面制備了本征態(tài)聚吡咯薄膜與聚吡咯/硅烷復(fù)合膜,研究各因素對(duì)薄膜耐蝕性能的影響;并在膜的表面涂上環(huán)氧樹脂有機(jī)涂層,討論不同預(yù)處理方法為鎂合金提供的保護(hù)效果。
實(shí)驗(yàn)采用循環(huán)伏
2、安法在鎂合金表面電聚合本征態(tài)聚吡咯薄膜,單一因素變量法討論電解液中吡咯單體濃度、循環(huán)周期、掃描速度及掃描電壓范圍對(duì)薄膜耐腐蝕性能的影響。通過電化學(xué)方法測(cè)試了薄膜的電化學(xué)交流阻抗譜和動(dòng)電位極化曲線,結(jié)果表明聚吡咯膜層可以改善鎂合金的耐腐蝕性能,當(dāng)電解液中吡咯單體為0.15mol/L時(shí),在0V~2V掃描電壓范圍內(nèi),7mV/s掃描速度下循環(huán)7周期獲得的本征態(tài)聚吡咯膜表現(xiàn)出了最好的耐腐蝕性能,腐蝕電流密度可達(dá)1.156×10-8 A·cm-2,
3、且腐蝕電位為-0.281V。
實(shí)驗(yàn)中采用循環(huán)伏安法在鎂合金表面制備了聚吡咯/硅烷復(fù)合薄膜,甲醇和水的混合溶液作為γ―(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷偶聯(lián)劑(KH-560)水解溶液,考察KH-560水解時(shí)間及含量對(duì)復(fù)合膜性能的影響。電聚合后的薄膜在60℃下固化3h,通過電化學(xué)交流阻抗譜和動(dòng)電位極化曲線測(cè)試復(fù)合膜的耐蝕性,紅外譜圖分析電聚合過程中硅烷偶聯(lián)劑的作用機(jī)理及聚吡咯/硅烷復(fù)合膜的結(jié)構(gòu)。當(dāng)KH-560含量為15%,水解2
4、4h時(shí)獲得的復(fù)合膜對(duì)鎂合金提供了較好的腐蝕防護(hù),腐蝕電流密度最低為5.935×10-10 A·cm-2,腐蝕電位是-0.576V。
在本征聚吡咯薄膜表面涂覆一層環(huán)氧樹脂有機(jī)涂層獲得聚吡咯-環(huán)氧復(fù)合涂層(PPy-Epoxy),在本征聚吡咯薄膜表面濕法制備硅烷膜(KH-560),再涂覆環(huán)氧樹脂獲得聚吡咯-硅烷-環(huán)氧復(fù)合涂層(PPy-Silane-Epoxy),在聚吡咯/硅烷復(fù)合膜表面涂覆環(huán)氧樹脂有機(jī)涂層獲得聚吡咯/硅烷-環(huán)氧復(fù)合涂
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