1、在當今科技飛速發(fā)展的時代，人們所使用的通訊設備逐漸縮小，功能愈發(fā)強大與齊全，工作效率一再提高。這對電子元器件的要求越來越高，進而對電子材料的性能要求也日益增加。作為現(xiàn)代通訊系統(tǒng)的重要組成部分，薄膜SAW（聲表面波）器件設計靈活性大（可根據自己需要進行相應設計）、模擬、數(shù)字兼容、頻率選擇性優(yōu)良、損耗較低、抗干擾能力強、可靠穩(wěn)定，并且器件體積小。這些優(yōu)點都和現(xiàn)代通訊所要求的，高頻、高性能、可靠穩(wěn)定以及便攜等不謀而合。
　　壓電薄膜是制

2、備SAW器件的焦點材料，其制取需要在嚴格的工藝條件下進行。通過不斷控制和提高工藝來改善器件機能，降低薄膜缺陷，這同樣依賴于薄膜材料的選擇。
　　本文選取AlN作為制備壓電薄膜的基本材料，并以其為研究對象對影響壓電薄膜結晶性能及電學性能的幾大因素進行系統(tǒng)和著重研究。將幾種工藝指標分組展開探究。探索AlN薄膜的制取與工藝指標的關系，總結其變化的規(guī)律以及趨勢。將檢測數(shù)據繪制圖表，對其進行對比分析。并對各個實驗現(xiàn)象的內在機理進行理論分析與

3、系統(tǒng)研究，通過大量的實驗研究與理論探索，得到AlN壓電薄膜的最佳制備工藝。
　　本文的主要研究內容及研究方法大致如下：
　　首先，結合實驗室狀況，對濺射參數(shù)進行分析，設計系統(tǒng)實驗。并使用XRD、AFM、SEM、臺階儀等表征手段，系統(tǒng)探索了襯底溫度、濺射功率、靶基距、氮氬比例之變化對AlN壓電薄膜表面形貌、表面粗糙度、結晶擇優(yōu)取向以及生長速率的影響規(guī)律。實驗與研究結果表明，在磁控濺射條件下，各種工藝條件的變化對AlN薄膜結晶質

4、量、表面形貌、沉積速率以及表面粗糙度都有著顯著的影響。并在此基礎上對其內在機理進行分析，獲得AlN薄膜結晶質量、表面形貌、沉積速率以及表面粗糙度隨著工藝參數(shù)變化的規(guī)律，并對規(guī)律進行逐一驗證。
　　其次，使用控制變量法，并結合阻抗分析儀的I-V模式和C-V模式，分別系統(tǒng)探索了濺射功率、靶基距、基片溫度以及氮氬比例對AlN壓電薄膜電阻率以及漏電流的影響。研究顯示，制樣的絕緣性與結晶質量息息相關。并對實驗結果進行內在機理分析，并對規(guī)律性