毫米波亞毫米波段InP HBT特性及模型研究.pdf_第1頁(yè)
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1、無(wú)線通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)互聯(lián)設(shè)備的增加對(duì)無(wú)線通信頻段帶寬提出了更高的需求,毫米波頻段十分可觀的資源顯得更有吸引力,通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展同時(shí)也促進(jìn)了毫米波器件的研制。InP基HBT器件作為一類(lèi)毫米波器件擁有線性度好、高增益、高功率密度、高截止頻率、相位噪聲低等優(yōu)點(diǎn),是光纖通信和無(wú)線通信應(yīng)用領(lǐng)域的重要高頻電子器件之一。
  HBT器件原理與BJT基本一致,先前數(shù)類(lèi)BJT模型仍能夠用于HBT器件的參數(shù)提取,但是此類(lèi)模型用于參數(shù)提取的準(zhǔn)確性低且

2、適用性有限,模型拓?fù)渚W(wǎng)絡(luò)和器件實(shí)際物理結(jié)構(gòu)及相關(guān)寄生效應(yīng)無(wú)法嚴(yán)格對(duì)應(yīng),因此開(kāi)發(fā)出針對(duì)InP基HBT的準(zhǔn)確模型十分必要。
  本文首先對(duì)HBT的發(fā)展歷程進(jìn)行概述,比較了不同材料系HBT的優(yōu)缺點(diǎn),介紹了HBT器件的工作原理。之后介紹了原本針對(duì)BJT進(jìn)行開(kāi)發(fā)的簡(jiǎn)單器件模型EM、GP,以及對(duì)HBT進(jìn)行過(guò)優(yōu)化的兩類(lèi)高級(jí)模型VBIC和HICUM,重點(diǎn)闡述了專門(mén)針對(duì)III-V族化合物HBT器件開(kāi)發(fā)的AgilentHBT模型。文章完成了VBIC、

3、HICUM、AgilentHBT三類(lèi)模型DC–66GHz的模型提取,并在DC、渡越時(shí)間、特征頻率曲線上比較了三類(lèi)模型的參數(shù)擬合精度,得出相對(duì)適用于 InP基 HBT毫米波亞毫米波段參數(shù)提取的模型。在文章最后介紹了利用 AgilentHBT模型對(duì)InP基HBT器件進(jìn)行75-110GHz、220-325GHz頻段大信號(hào)建模的完整流程,并且在直流、電壓電容關(guān)系、渡越時(shí)間、特征頻率和 S參數(shù)上進(jìn)行了模型準(zhǔn)確性的驗(yàn)證。最后在220GHz-325G

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