1、單晶硅和多晶硅體太陽能電池成本居高不下，非晶硅和非晶硅薄膜太陽能電池又有光致衰退效應(yīng)的困擾。多晶硅薄膜太陽能電池則兼具兩者的優(yōu)點：多晶硅薄膜電池既有單晶硅和多晶硅體太陽能電池的高轉(zhuǎn)換效率和長壽命，又有非晶硅薄膜太陽能電池的材料制備工藝簡化和成本低廉之優(yōu)點，正是由于這一點，多晶硅薄膜太陽能電池將成為新一代太陽能電池的有力候選者。因此，對多晶硅薄膜進行研究則具有重大意義。 基于這個目的，我們采用等離子體輔助化學氣相沉積(PECVD)

2、技術(shù)沉積多晶硅薄膜材料，并對電池相關(guān)的其它結(jié)構(gòu)材料進行研究。本論文主要進行如下幾方面的工作： 1)為制備出多晶硅薄膜太陽能電池，需要對本征μc-Si：H薄膜進行氣相摻雜，因此我們對制備摻磷多晶硅薄膜和其微結(jié)構(gòu)進行研究。本論文采用Raman散射譜、掃描電子顯微鏡(SEM)和XRD來研究摻磷多晶硅薄膜的微結(jié)構(gòu)，采用能譜儀對薄膜表面的P摻雜率進行了分析，另外對摻磷多晶硅薄膜的快速光退火特性進行了研究。 2)對于在制備多晶硅薄膜

3、太陽能電池中很重要的本征層，我們采用RF-PECVD系統(tǒng)對氫稀釋比、沉積溫度、襯底材料、射頻功率等參數(shù)對多晶硅本征薄膜材料的結(jié)晶狀態(tài)及光電性能的影響進行了研究。 3)為了制備出高質(zhì)量的多晶硅薄膜太陽能電池，我們必須對μc-Si：H薄膜的沉積機理和其生長動力學過程加以了解，所以本論文對μc-Si:H薄膜的沉積機理和其生長動力學過程做了初步的研究工作。 實驗結(jié)果表明：1)磷摻雜導(dǎo)致硅薄膜沉積時晶化率降低，但對其固相晶化有利。