1、隨著MOS器件發(fā)展到深亞微米階段，單軸應(yīng)變Si已已經(jīng)成為應(yīng)變硅技術(shù)的主流被廣泛應(yīng)用。單軸應(yīng)變硅技術(shù)主要通過在傳統(tǒng)的MOSFET溝道中引入應(yīng)力來增加載流子的遷移率；對(duì)器件的性能提升明顯，工藝上容易實(shí)現(xiàn)。因此，對(duì)單軸應(yīng)變Si的導(dǎo)帶E(k)-k關(guān)系、反型層量子化特性及閾值電壓等理論研究尤為重要。
　　 作為研究反型層量子化特性以及閾值電壓的理論基礎(chǔ)，本文首先討論了剪切應(yīng)力作用下布里淵區(qū)邊界X點(diǎn)處△1和△2'能帶之間的耦合作用及其對(duì)導(dǎo)帶

2、能谷極小值的改變，給出了任意單軸應(yīng)力作用下每個(gè)能谷的E(k)-k關(guān)系，根據(jù)該E(k)-k關(guān)系，獲得了平行、垂直于應(yīng)力方向的有效質(zhì)量；其次，討論了單軸張應(yīng)力對(duì)硅nMOSFET中反型層導(dǎo)帶的量子化特性的影響，完成了定性和定量分析。并將應(yīng)變與弛豫情況下對(duì)本征載流子濃度、本征能量、能量間距、反型層載流子距離界面的平均距離等特性作了比較，獲得了應(yīng)力弱化了nMOSFET中反型層導(dǎo)帶量子化效應(yīng)的結(jié)論；最后，基于材料的能帶結(jié)構(gòu)參數(shù)以及量子化特性，在考慮