1、有機無機雜化鈣鈦礦是一種新型的半導體材料，其結構上通常是由有機組分和無機層狀框架自組裝形成，這種雜化結合的方式使得鈣鈦礦在配體材料選擇上具有相當大的廣泛度，選用不同的鹵素或有機分子設計合成出不同性質的鈣鈦礦，能夠實現(xiàn)材料的形貌控制、發(fā)光調控以及不同功能器件的設計，因此材料組分的選取和合成路線的設計有利于進一步對鈣鈦礦性質的研究。
　　目前鈣鈦礦材料的研究中，對于有機無機雜化鈣鈦礦材料的成核生長機制還不夠清楚，為了更好地認識其結晶過

2、程，采用溶液法生長的方法分別合成了CH3NH3PbI3鈣鈦礦微米線和CH3NH3PbBr3鈣鈦礦微米塊，研究了鈣鈦礦的成核生長過程。在材料制備的基礎上，分別研究了CH3NH3PbBr3鈣鈦礦的光發(fā)射性能以及CH3NH3PbI3鈣鈦礦的光電轉換特性。具體結論如下:
　　(1)采用溶液蒸發(fā)法合成了CH3NH3PbI3鈣鈦礦微米線，在結晶過程中引入反溶劑CH2Cl2控制蒸發(fā)過程中的生長成核，形貌結構表征顯示多晶微米線尺寸均一，為四方相鈣

3、鈦礦結構。
　　(2)研究了在不同退火溫度下的CH3NH3PbI3微米線的形貌和性質，提出了CH3NH3PbI3鈣鈦礦微米線的基于PbI2框架生長的結構模型，并解釋了不同退火溫度階段對應的鈣鈦礦微米線的化學組成和形貌演變規(guī)律。
　　(3)在CH3NH3PbI3鈣鈦礦微米線合成基礎上，利用其高效光吸收性能，在叉指電極上原位生長的方式，構建了基于鈣鈦礦微米線的光電探測器，實現(xiàn)對可見光的高靈敏響應，器件開關比達到1.05×104，