1、近年來，隨著激光技術(shù)與光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，使得光電探測(cè)器在各領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越廣泛。由于激光具有一些獨(dú)特的優(yōu)異特性，以激光作為光源對(duì)探測(cè)器的損傷行為研究也日益增加。目前，激光對(duì)探測(cè)器輻照效應(yīng)的研究主要集中在對(duì)激光輻照硅基 CCD探測(cè)器、或者光伏型銻化銦探測(cè)器方面，對(duì)于激光輻照紅外焦平面探測(cè)器的實(shí)驗(yàn)和理論研究較少。隨著紅外焦平面探測(cè)器在軍事、航空制導(dǎo)等領(lǐng)域的紅外探測(cè)系統(tǒng)廣泛應(yīng)用，對(duì)紅外焦平面探測(cè)器激光輻照效應(yīng)研究也顯得尤為重要。因此，本

2、文以銻化銦紅外焦平面探測(cè)器作為研究對(duì)象，對(duì)激光輻照下銻化銦紅外焦平面探測(cè)器的熱-力效應(yīng)進(jìn)行研究。
　　本文利用有限元分析軟件 ANSYS，建立了高斯脈沖激光輻照銻化銦紅外焦平面探測(cè)器的三維結(jié)構(gòu)模型，考慮銻化銦紅外焦平面探測(cè)器中材料熱物參數(shù)隨溫度變化的特性，采用間接熱-力耦合的方法，對(duì)激光輻照下銻化銦紅外焦平面探測(cè)器三維溫度場(chǎng)和應(yīng)力場(chǎng)進(jìn)行了研究。
　　仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：激光輻照下銻化銦紅外焦平面探測(cè)器最大溫度出現(xiàn)在最上層的銻化

3、銦芯片上，探測(cè)器最大溫度達(dá)到銻化銦芯片熔點(diǎn)溫度798K時(shí)，將會(huì)引起探測(cè)器的熱熔融損傷，且熔融損傷閾值受到激光能量、脈寬、頻率、光斑半徑等激光參量的影響；隨著銻化銦紅外焦平面探測(cè)器中間層銦柱柱半徑的增長(zhǎng)，激光輻照下探測(cè)器的最大溫度增速變緩；激光輻照下銻化銦紅外焦平面探測(cè)器中各層材料的溫度場(chǎng)分布呈現(xiàn)出非連續(xù)的高溫極值區(qū)域，其主要原因是位于銻化銦紅外焦平面探測(cè)器中間層相間分布的銦柱和底充膠具有迥異的熱學(xué)性質(zhì)，并且造成探測(cè)器溫度場(chǎng)云圖中銻化銦芯

4、片、底充膠與硅讀出電路高溫極值區(qū)域形成類似于互補(bǔ)的高溫分布。
　　基于激光輻照下銻化銦紅外焦平面探測(cè)器溫度分布，進(jìn)一步研究了激光輻照熱效應(yīng)下應(yīng)力場(chǎng)的分布規(guī)律。激光輻照下銻化銦紅外焦平面探測(cè)器熱應(yīng)力極值出現(xiàn)在銻化銦芯片上；銻化銦紅外焦平面探測(cè)器熱應(yīng)力隨著脈沖激光參量的變化而變化，其中脈沖激光能量、頻率逐漸增加應(yīng)力極值逐漸減小，脈沖激光脈寬、光斑半徑逐漸增加應(yīng)力極值逐漸增加；隨著銻化銦紅外焦平面探測(cè)器中間層銦柱半徑的增長(zhǎng)，激光輻照下探